纳米AlN分散的Bi85Sb15低温热电性能研究.pdfVIP

2014年第 3期 低 温 工 程 NO．3 2014 总第 199期 CRY0GENICS Sum NO．199 纳米 AIN分散的Bi85Sb15低温热 电性能研究 辛彩妮 韩叶茂 宋春梅 赵 杰 周 敏 李来风 黄传军 ( 中国科学院理化技术研究所航天低温推进剂技术国家重点实验室 北京 1001901 (中国科学院大学 北京 100049) (遵义师范学院 遵义 563002) ( 中国科学 院理化技术研究所 中国科学 院低温工程学重点实验室 北京 100190) 摘 要 ：利用机械合金 (MA)和放 电等离子 (SPS)烧结方法，制备 出BiSb ／xmoi％ A1N(=0， 0．1，0．2，0．3)块体材料。在 77—300K温 区内，测试 了块体材料的电导率、Seebeck系数、霍尔系数 和热导率，并由此计算出材料的z值。结果表明：纳米 A1N分散的Bisb材料 ，随着 A1N含量的增 加 ，样品的迁移率升高，从而明显提 高材料 的电导率，但 Seebeck系数绝对值呈减小趋 势。适量的纳 米 A1N的引入可以形成散射 中心 ，增加对声子的散射作用，降低热导率。当基体 Bisb 中加入 0．1 mo1％ A1N时，其 值在250K取得最大值 ～0．32，比基体在此温度下的z值提 高了45％。 关键词 ：BiSb 材料 纳米A1N 热 电性能 中图分类号 ：TB383。TB66 文献标识码 ：A 文章编号：1000—6516(2014)03—0036-05 Thermoelectricpropertiesofnano-AIN dispersed Bi85Sb15atcryogenictemperature XinCaini‘· HanYemao 。· SongChunmei ZhaoJie， ZhouMin， LiLaiofng， HuangChuanjun (StateKeyLaboratoryofTechnologiesinSpaceCryogenicPropellants，TechnicalInstitute ofPhysicsandChemistry，ChineseAcademyofSciences，Beijing100190，China) ( UniversityofChineseAcademyofSciences，Beijing100049，China) (ZunyiNormalCollege，Zunyi563002，China) (KeyLaboratoryofCryogenics，TechnicalInstituteofPhysicsandChemistry，ChineseAcademyofSciences，Beijing100190，China) Abstract：Bi85Sb】5／xmo1％A1N(=0，0．1，0．2，0．3)bulkmaterialswerefabricatedbymechanical alloying(MA)andsparkplasmasintering(SPS)．Theelectricalconductivities，Seebeckcoefficients，Hall coefficientsandthermalconductivitieswere investigatedinthetemperaturerangefrom 77K