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- 2017-07-03 发布于浙江
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第讲场效应管
高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 模拟电子技术 哈尔滨工程大学 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 高频电子线路 退出 下页 上页 首页 哈尔滨工程大学 第四节 场效应晶体管 场效应管的特点: 输入阻抗高、温度稳定性好、低噪声、易集成化 分类: 结型(JFET)和绝缘栅型(MOS) 一、结型场效应管(JFET) 1 结构与工作原理 场效应管(FET)是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,属于压控器件。由于它仅靠多子参加导电,又称单极型晶体管。 结型场效应管又有N沟道和P沟道两种类型。 (FET) 场效应管结构特点 N·JFET的结构及符号 两个PN结之间的N沟道 ①UDS决定耗尽层的楔形程度 ②UGS决定沟道的宽窄 ③UDS、UGS同时作用 场效应管工作原理 N沟道在耗尽层楔形基础上,随UGS作宽窄变化,从而控制ID的大小。 (1)转
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