硅片中金属镍的沉淀和稳定.pdfVIP

第16卷第1期 材　料　科　学　与　工　程 总第6 1 期 116 1 1998 V o N o M aterials Science Engineering M ar 硅片中金属镍的沉淀和稳定 杨德仁 浙江大学硅材料科学国家重点实验室　杭州　310027 　　【摘　要】　金属镍是大规模集成电路中常被发现的杂质, 它的沉淀严重影响着集成电路的性 能。本文阐述了在集成电路工艺中镍沾污的可能途径, 镍在硅中的基本性质, 说明了镍的沉淀性质 和与硅材料扩散长度的关系, 也说明了镍沉淀的稳定性。 【关键词】　硅, 杂质, 镍 Prec ip itation and its Stability of M etallic N ickel in Silicon W afer Yang D eren , , , 310027 Sta te Key Labora tory of Silicon M a ter ia ls Sc ience Zhej iang Un iversity Hangzhou 　　【 】　 Abstract N ickel is one of the mo st impo rtant m etallic impurity in very large scale inte ( ). . grated circuit VL S I It affects seriously the VL S I p roperties T h is paper review s the con tam ination of nickel in VL S I p rocess, its basic behavio r in silicon m aterial, and its p recip ita tion. T he stability of the nickel p recip itatio in during subsequent heat treatm ent is also dis . cussed 　　【Key W ords 】: 　Silicon, Impurity, N ickel 镍在硅材料的沉淀以及它在后继热处理中的稳定 一、前　　言 性, 并指出了镍在硅中的基本性质。 现代大规模集成电路的线路设计愈趋复杂, 线 二、镍的沾污及影响 宽已在亚微米级, 因此要求硅器件的有源区有尽量 少的晶格缺陷。对于具有亚微米线宽的大规模集成 在高纯多晶硅和硅单晶棒中, 镍杂质很少被发 电路而言, 单个金属原子或几个原子的沉淀会大大 ( 12 - 3 ) 现, 一般处于探测极限以下 约≤5 ×10 c