GaN 及其Ga 空位的电子结构 - 物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 H$ $$ !! $$ ， ， ， 4=O .H$ )= . $$ )=@5PQ58 !! （ ） $3,!#K!!KH$ $$ K!H03# LCML BJNF2CL F2)2CL !!! C9; . BA+ . F= . 及其 空位的电子结构! !# ! 何 军 郑浩平 （同济大学玻尔固体物理研究所，上海 !#! ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） !$ % !! !! $ 用团簇埋入自洽计算法对宽禁带半导体’() 的电子结构进行了自旋极化的、全电子、全势场的从头计算，得到 了与实验值符合的 晶体禁带宽度以及价带中 带、 带和 带之间的相对位置 在此基础上 空位 ’() ) !* ) !+ ’( ,- . ’( 计算（无晶格畸变）显示， 空位周围的费米面显著高于正常 晶格的费米面 因此 空位周围 原子的处于 ’( ’() . ’( ) 费米面上的 电子很易被激发成正常晶格处的传导电子 !* . 关键词： ，电子结构，团簇埋入自洽计算 ’() ： ， ， $% %$$ !% /$% 实验符合得相当好的禁带宽度结果，而且计算所得 $1 引 言 的价带中 电子、电子能带相对位置都与实验事 - + 最近， 族氮化物宽能隙半导体及其合金正 实相符 但由于对全势场的能带计算，禁带宽度误差 22234 . 成为研究焦点，其中’() 已被确认为最重要的一种 始终大于 ，且计算所得的价带中 电子、电子 , 7 - + 半导体. ’() 的禁带宽度约为, . % 54，这给研制紫 能带相对位置也与实验事实不符，因此赝势法计算 外—蓝色波段的半导体发光二极管、半导体激光器 结果的可信度未得到广泛承认. 和光子探测器带来巨大的希望，同时也使大功率、高 其次，尽管已作了很大努力， 中几种缺陷和 ’()