用霍尔元件测磁场-大学物理实验.docVIP

用霍尔元件测磁场 霍耳效应是德国物理学家霍耳（A.H.Hall 1855—1938）于1879年在他的导师罗兰指导下发现的。由于这种效应对一般的材料来讲很不明显，因而长期未得到实际应用。六十年代以来，随着半导体工艺和材料的发展，这一效应才在科学实验和工程技术中得到了广泛应用。 利用半导体材料制成的霍耳元件，特别是测量元件，广泛应用于工业自动化和电子技术等方面。由于霍耳元件的面积可以做得很小，所以可用它测量某点或缝隙中的磁场。此外，还可以利用这一效应来测量半导体中的载流子浓度及判别半导体的类型等。近年来霍耳效应得到了重要发展，冯﹒克利青在极强磁场和极低温度下观察到了量子霍耳效应，它的应用大大提高了有关基本常数测量的准确性。在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍耳器件，会有更广阔的应用前景。了解这一富有实用性的实验，对今后的工作将大有益处。 教学目的： 了解霍尔效应产生的机理，掌握测试霍尔器件的工作特性。 掌握用霍尔元件测量磁场的原理和方法。 学习用霍尔器件测绘长直螺线管的轴向磁场分布。 教学重难点： 1. 霍尔效应 2. 霍尔片载流子类型判定。 教学要求 1. 实验者必须有完整详细的预习报告。 1、实验三小时完成。 2、了解TH-S型螺线管磁场测定实验组合仪的结构、原理，学会使用。 3、按要求测量数据，并对实验结果进行评价，写出合格的实验报告。 讲授内容（约20分钟