铝膜沉积温度对非晶硅薄膜晶化的影响.pdfVIP

第40卷第3期 上海师范大学学报(自然科学版) Vo1．40．NO．3 2011年 6月 JournalofShanghaiNormalUniversity(NaturalSciences) Jun．，20 11 铝膜沉积温度对非晶硅薄膜晶化的影响 徐 礼，秦晓梅 (上海师范大学 数理学院，上海200234) 摘 要：采用磁控溅射 (MagnetronSputtering，MS)方法，研究了不同的退火温度及铝的沉积温 度对非晶硅薄膜晶化的影响．通过扫描电子显微镜(SEM)对不同温度沉积的铝薄膜表面结构 及形貌进行了分析；并利用光学显微镜，拉曼散射仪(RAMAN)对退火后的薄膜表面形态和结 构进行了分析．实验结果表明：适当温度退火可以有效提高对非晶硅的诱导作用，提高铝膜的 沉积温度对于非晶硅薄膜晶化有促进作用；在650℃的退火温度下增加铝的沉积温度可显著 提高非晶硅 的晶化效果． 关键词 ：铝诱导；晶化 ；沉积温度 ；退火温度 中图分类号：TB43 文献标识码：A 文章编号：1000-5137(2011)03-0240-05 O 引 言 在硅薄膜太阳能电池的发展进程中，单晶硅薄膜太阳能电池光电转换效率高但结晶技术复杂，成本 居高不下，非晶硅薄膜太阳能电池虽然生产成本低，但有明显的衰减，目前都不适合实际应用．而多晶硅 薄膜太阳能电池光电转换效率介于二者之间，它具有较高的载流子迁移率和光吸收率及稳定的光电性 能，因而被广泛地应用于太阳能电池、液晶显示器(LCD)、薄膜晶体管 (T兀’)和图像传感器等领域．同 时，多晶硅薄膜电池的生产成本也随着近些年研究的不断深入，有望大幅度降低，具有广阔的应用 前景 卜 ． 固相晶化法(SPC)J、激光晶化法 (Lc) 和金属(铝，镍等)诱导晶化法 等都可以制备多晶硅薄 膜电池．固相晶化法虽然工艺设备简单，适用于大面积制备薄膜，但需要的热处理温度高、时间长，反而 会限制基板材料的选择和成本的降低．激光诱导晶化法速度快，但设备复杂晶化不均匀，制造成本也较 高．金属诱导晶化 (MIC，metalinducedcrystallization)是 目前降低温度和缩短晶化时间最有效的方法，此 法是通过添加某些特定的金属，在生长界面附近的金属原子与非晶硅原子相互扩散，以两者不同的自由 能为驱动力而发生固相反应，达到降低晶化温度的目的．可用的金属包括Al、Ni、Pd等，目前研究采用最 多的就是成本最低的金属铝来进行诱导_6-8)．Zou_9等人曾利用等离子加强化学汽相沉积法 (PECVD) 和铝诱导晶化法(AIC，aluminuminducedcrystallization)在普通玻璃上制备出多晶硅薄膜，制得的多晶硅 薄膜晶粒尺寸大，均匀性好． 通过对铝膜沉积温度与非晶硅薄膜晶化关系的研究，对于完善非晶硅薄膜晶化方法有重要意义，但 目前还未有对铝膜沉积温度控制方面的相关研究报道．磁控溅射 (MagnetronSputtering，MS)方法，在沉 积过程中升温准确、稳定，而且制备出的薄膜均匀性好，其研究结果具有很好的代表性．本文作者采用磁 收稿 15t期：2011-01-14 基金项目：上海师范大学重点学科项目(DZIB04)；上海师范大学创新团队项目(DXLg02)；上海市教委科研创新项目 (09YZ151) 作者简介：徐 礼(1982一)，男，上海师范大学数理学院硕士研究生 ；秦晓梅 (1968一)，女，上海师范大学数理学院 副教授． 通信作者 第 3期 徐 礼，秦晓梅 ：铝膜沉积温度对非晶硅薄膜晶化的影响 控溅射方法，通过提高铝膜沉积温度，从而得到较大晶粒的铝，进而改变硅膜的晶化效果，达到优化晶化 方法的 目的． 1 实 验 实验所用衬底为直径5cm，双面抛光石英玻璃 (非晶态)．单晶硅靶直径为5cm，溅射面细磨．铝靶 直径为5cm，纯度 99．99％．石英衬底依次用去离子水、丙酮、无水乙醇在超声波清洗仪 中清洗 15min，以去除油渍、汗渍、灰尘等．取出风干后立即放入磁控溅射仪准备室，进行预清洗．预清洗真空度 为2．0Pa，功率 100W，时间1min，所用气体为Ar气，流量 10sccm． 图