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室温似单电子晶体管高电流分析-湖南工业大学期刊网
第 卷第 期 南 工 业 大 学 学 报
23 2 Vol.23 No.2
年 月
2009 3 Journal of Hunan University of Technology Mar. 2009
温似单电子晶体管高电流分析
张洪涛 许正望 李利荣 黄 杰 王 琰 宋 玲
（湖北工业大学 电气与电子工程学院， 北 武汉 430068 ）
摘 要：在实验中观察到纳米线金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semicon ductor Field-Effect Tr an sistor
）室温下出现 高电流似单电子库仑阻塞特性。分析了这一现象产生的机理，提出了似单电子库仑
MOSFET I - V
阻塞模型，认为纳米线晶体中的结构发生变化，造成特殊的“岛”，电子在耦合机制的作用下，形成类似的库
伯电子对，在“岛”上实现似单电子隧穿。这时，库仑阻塞效应的机制由单电子变成成对的多电子，这可造成
充电能增大，在室温下隧穿。由于耦合电子对的出现，随栅压加大，使电子隧穿时，既可实现库仑阻塞，又使
电流加大，室温下出现高电流台 。
关键词：纳米线 ；单电子晶体管； 大电流；电子对
MOSFET I - V
中图分类号： 文献标识码： 文章编号：
TN323 A 1673-9833(2009)02-0069-04
Analysis of Similar-Single Electron Transistors with
High Current at Room Temperature
， ， ， ， ，
Zhang Hongtao Xu Zhengwang Li Lirong Huang Jie Wang Yan Song Lin
（ ， ， ， ）
School of Electric and Electronical Engineering Hubei University of Technology Wuhan 430068 China
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Abstract Large current intensities of micro-ampere magnitude with Coulomb blockade in I-V curves of nanowire
MOSFET devices were analyzed. The phenomena was formed by nanowire crystal because of crystal deformed structure.
Single electron tunnels with some electron copula in the island, which make the charging energy become large. When electron
tunnels in island with coupling electron pair with increasing gate voltage, the coulomb blockade effect with large current
intensities are observed at room temperature.
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