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空位缺陷对CrSi 2 光电性能的影响 - 吉林大学学报
( )
第 卷 第 期 吉 林 大 学 学 报 理 学 版
53 3 Vol.53 No.3
年 月 ( )
2015 5 JournalofJilinUniversit ScienceEdition Ma 2015
y y
: /
doi10.13413 .cnki.dxblxb.2015.03.39
j j
空位缺陷对CrSi光电性能的影响
2
1 2 2 2 2
, , , ,
于立军 张春红 张忠政 邓永荣 闫万珺
( , ;
1.长春师范大学 物理学院 长春 130032
, )
2.安顺学院 航空电子电气与信息网络工程中心 贵州 安顺 561000
: , ,
摘要 采用第一性原理方法 计算含空位缺陷 的电子结构和光学性质 并分析含 和
CrSi Cr
2
空位缺陷的 光电性能 结果表明: 和 空位均使 的晶格常数和体积变小;
Si CrSi . Cr Si CrSi
2 2
, ,
能带结构密集而平缓 且整体向上移动 Si空位缺陷形成带隙宽度为0.35eV的 型间接带
p
, ;
隙半导体 Cr空位缺陷在原禁带间出现两条新的能带 含空位缺陷CrSi的电子态密度仍主
2
要由Cr3d层电子贡献,Si空位缺陷对电子态密度的影响较小,Cr空位缺陷提高了Fermi面
; ,
处的电子态密度 与CrSi相比 含空位缺陷CrSi的介电峰均向低能方向略有偏移且峰值降
2 2
,
低 吸收系数明显变小.
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