自从二十世纪后半期电子产业产生革命性的发展，陶瓷材料即大量应用.DOC

自從二十世紀後半期電子產業產生革命性的發展，陶瓷材料即大量應用在電機及微電子產品中。 在一九二○年代中期，Ni-Zn 及 Mn-Zn 鐵氧磁體便應用在變壓器、電話機與收音機的接收線圈中。二次大戰後，具有高介電係數、高壓電常數、高機電藕合常數及良好光電效應的鐵電陶瓷材料也被大量地開發及應用。 高介電常數的 BaTiO3 陶瓷材料應用在碟式及管狀的電容器，並在一九七○年代應用在積層陶瓷電容中。現在，全世界每年約生產超過千億個積層電容器。微波陶瓷則廣泛使用在無線通訊的濾波器、共振器及混頻器中。隨著電子設備的發展，更多種類及功能的陶瓷材料將被開發並應用在先進的電子設備中。 如同一般電子元件的演進，電子陶瓷首先應用在接腳式元件上，每個元件只有單一的功能，並利用導線與電路板相連。隨著表面黏著技術的開發，電子陶瓷元件逐漸改成晶片式設計，元件藉由端電極與電路連接，由於不用接腳，晶片式元件在電路上所占的體積變小。 為了能更進一步減小元件在電路中所占的體積，晶片式元件不斷朝向小型化及陣列式發展，現有的厚膜製程技術已可製作大小為 0201（0.02 英寸 × 0.01 英寸）的晶片式元件。為了迎合電子設備輕薄短小的發展趨勢，電子陶瓷元件正朝向積體化與模組化發展，提升電子線路中的電路與元件密度，以減小電路所占的體積。 電子陶瓷的發展趨勢隨著製程技術的進步與電子產品應用需求而改變，目前，電子陶瓷的主要發展趨勢有：（1）具多功能的電子陶瓷元件及系統模組，及其積層製造技術日益重要，模組中電路及元件呈現三度空間的多層架構，以取代以往的單層電路架構。（2）從單一元件的製程技術轉換成多功能電子陶瓷元件或模組的製造，電阻、電容及電感等被動元件可埋入模組內，模組內的電路及材料製程技術亦漸複雜，模組內電路布局及製程技術模擬的重要性增加。（3）隨著半導體技術的奈米化，電子陶瓷元件的尺寸奈米化及奈米製程技術也逐漸受到重視。 電子陶瓷元件依其功能性可分為絕緣陶瓷、介電陶瓷、半導體陶瓷、壓電陶瓷、電陶瓷、電陶瓷、磁性陶瓷、超導陶瓷等類。依其應用的不同，各類電子陶瓷所使用的材料亦有所區別。 絕緣陶瓷：絕緣體陶瓷用以隔絕與支撐電路上的電子線路、防止導體因相互接觸而產生短路的現象、固定與保護電子元件，以及提供電路的散熱功能。以陶瓷體做為電子絕緣體具有高溫穩定性、不產生有害氣體、良好化學穩定性及較高的機械強度等優點。 陶瓷絕緣體在高頻的環境下操作具有較低的信號失真效應，亦常使用在高頻無線通訊用途上，如短距離無線通訊的藍芽模組及無線區域網路通訊上。陶瓷絕緣體亦常使用為半導體封裝用的基板材料。主要的絕緣陶瓷材料有滑石瓷、鎂橄欖石瓷、Al2O3、SiC、BeO、AlN、C（鑽石膜）及玻璃陶瓷等。 介電陶瓷：介電材料一般具有電偏極化的效應，即在電場下陶瓷材料的結構會因電場的極化效應而有電偶極，產生電偏極化。高介電常數材料置於電容器的平行導電板內時，因為材料的自發性極化效應，可增加電容器所儲存的電荷量，使得電容器的電容值隨之增加。鈦酸鋇（BaTiO3）系陶瓷材料是最常用的介電材料。陶瓷電容器的結構有碟式與積層式兩種，積層陶瓷電容每二層內電極即構成一電容，整體積層結構因有多個並聯電容結構而可增加電容值。 壓電陶瓷：壓電效應是在一八八○年由居禮兄弟（Pierre Curie, 1859-1906 及Jacques Curie, 1856-1941）二位研究人員，針對石英、閃鋅礦、電氣石、羅式鹽等單晶體研究其在承受壓力時的反應所發現的。其後，又在鈦酸鋇、鈦酸鉛、鋯酸鉛等多種陶瓷體上發現類似現象。上述的陶瓷體在受到壓力時，晶體結構產生電荷分布的偏極化，而在不同端具有不同的表面電荷，這種現象稱為正壓電效應，可應用在點火器、應力偵測器、壓電觸摸開關等裝置中。 若在壓電陶瓷體上加以電位差，則可使陶瓷體產生變形，因而將外加的電能轉換成機械能，這種現象稱為負壓電效應。負壓電效應可應用於超音波裝置，如超音波洗淨器、魚群偵測器、超音波診斷機及蜂鳴器，此外亦可應用於精密位移定位系統、壓電馬達、噴墨印表機噴頭等裝置中。除了上述的單一效應外，亦可將正、負效應組合應用在濾波器、共振器及壓電變壓器等裝置上。 半導體陶瓷：在一般印象中陶瓷是電的絕緣體，主要是由於其電子能階中的導電帶與價電帶的能隙過大，電子無法被激發躍升至導電帶，形成可導電的自由電子，因而成為絕緣體。若在陶瓷中摻雜一些不同電價的元素，則能在導電帶與價電帶之間創造出施體或受體能階，減小能階的間隙，形成半導體陶瓷，使得陶瓷體可以導電。半導體陶瓷的電阻係數約為 10-3 ~ 106 歐姆˙公分，電導係數則會受到物質的能帶結構、晶格缺陷、雜質含量及種類的影響。 半導體陶瓷依其傳導型式可分為ｐ型、ｎ型、以及離子型。ｐ型是