管理课件固体化学.docVIP

目录： 一. 晶体结构的缺陷类型 3 1.1 缺陷类型 3 1.2 点缺陷的类型 3 二. 点缺陷的表示方法 5 2.1 克罗格-明克符号 6 2.2 书写缺陷反应的基本原则 7 三. 点缺陷的运动和浓度 9 3.1 弗仑克尔缺陷浓度计算 9 3.2 肖特基缺陷浓度计算 10 四 位错 12 4.1 刃位错 13 4.2 螺位错 13 五 面缺陷 14 六 扩展缺陷 15 6.1 堆积层错 15 6.2 亚晶粒界和反相畴界 15 七 非化学计量化合物 16 7.1负离子空位 16 7.2正离子填隙 17 7.3负离子填隙 18 7.4正离子空位 19  晶体缺陷 在进行晶体结构分析时，总是假设整个晶体中的原子（分子）都是按照理想状态严格排列在格点上。实际上，任何大于OK温度下的真实晶体都或多或少存在着对于理想结构的偏差，称之为结构缺陷，即晶体缺陷。这种缺陷普遍存在，而且在很大程度上影响着晶体的物理化学性质，所以对于这种普遍存在的晶体缺陷进行系统研究也成为了固体化学中的核心内容之一。 一. 晶体结构的缺陷类型 1.1 缺陷类型 缺陷的种类繁多，按照几何形状进行划分，主要可以分为以下4种类型： （1）点缺陷：即0维缺陷，缺陷的尺寸在两个原子大小的量级； （2）线缺陷：即1维缺陷，晶体中存在的一维的缺陷，通常指的是位错； （3）面缺陷：即2维缺陷，一般指晶体表面和晶界上的缺陷；