金属电子论研究.ppt

2009年在得知戴希等的成果后，中科院物理所研究员马旭村和副研究员何珂揽下了材料设计与制备的活儿。利用分子束外延方法，获得了高质量的Bi2Te3族拓扑绝缘体薄膜。然后，根据中科院物理所方忠、戴希和斯坦福大学张首晟等人的理论和材料计算结果，在这种拓扑绝缘体薄膜中掺入磁性元素，并期望由此实现量子反常霍尔效应。 清华大学中科院薛其坤院士的研究组负责测量霍尔电阻， “材料降温容易，但给电子降温很难。”经过大量细致的工作，后来量子反常霍尔效应是在温度为 30mK 的条件下观察到的。 中科院院士于渌在评价这一工作时说：“物理学中，很多时候都是实验观察到现象，然后得出理论。他们这次对量子反常霍尔效应的研究刚好相反，是一次从理论到实验的完整过程。” Klitzing 和Th. Englert 发现霍尔平台： 实验观测到的霍尔电阻 1, 霍尔电阻有台阶, 2, 台阶高度为 , i 为整数, 对应于占满第 i 个Landau能级, 精度大约为5ppm. 3, 台阶处纵向电阻为零. 按经典霍尔效应理论应有： 经典理论 按经典霍尔效应理论应有： 即霍尔电阻率与电子密度 n 和磁场 B 有关。 Klitzing 最初的实验是固定 B 改变 n 来进行，当然也可以固定 n 改变 B 。为便于分析前图中把他的发现用 ρ H xy 随 B