43磁畴结构.PDF

4.3 磁畴结构 一.影响磁畴结构主要因素的定性考虑 二.具有单轴各向异性晶体的磁畴 三.立方晶系材料的磁畴 四.表面磁畴 五.不均匀物质中的磁畴 六.单畴颗粒 七.磁泡 八.反铁磁畴 该节参考姜书4.6,4.9节 一. 影响磁畴结构主要因素的定性考虑 在铁磁体中，如果交换作用使整个晶体自发磁化到饱和， 磁化强度的方向沿着晶体内的易磁化轴，这样虽能使铁磁晶 体内交换能和磁晶各向异性能都达到极小值。但晶体有一定 的大小与形状，整个晶体均匀磁化的结果，必然在晶体表面 产生磁荷，磁荷产生的退磁场会形成很大的退磁场能F ，分 d 成磁畴就会减小退磁能，但又增加了畴壁能，综合考虑成为 决定磁畴结构的主要因素。总之：大块材料产生磁畴的首要 原因是多畴有利于降低退磁能，但多畴又带来了畴壁能，所 以稳定的多畴结构决定于体内畴壁能与表面退磁场能的平衡， 相应的自由能极小。 以一个圆片样品为例来定性分析一下影响磁畴结构的主要 因素。 二. 单轴各向异性晶体的磁畴结构 易磁化方向 一个单轴各向异性晶体自 发磁化后可能的磁畴结构如右 图所示。晶体沿易磁化方向均 匀磁化后退磁能很大，从能量 的覌点出发，分为两个或四个 平行反向的自发磁化的区域可 以大大减少退磁能，但是两个 相邻的磁畴间畴壁的存在又增 加了一部分畴壁能。因此自发 磁化区域(磁畴)的形成不可能 是无限多的，而是以畴壁能与 退磁场能之和的极小值为平衡 条件。 形成封闭畴将进一步降低退磁能，但是封闭畴中的磁化强度方向垂 直于易磁化方向，因此又会增加各向异性能。如何取舍？ 片状磁畴能量的计算：考虑一个厚度为L 、易磁化方向垂直于表面 的片状材料，求解形成片状磁畴后的能量。 设片状畴的宽度为d ，则该晶体样品表面单位面积下方柱体的总能量为： 7 2 L （γ是畴壁单位面积能量） E 2 0.85 10 M S d  d 半无限大样品片状磁畴的退磁能密度上节已知，现在要考虑上下表 面，约乘以2 。后一项是畴壁的能量，磁畴的宽度是d, 单位长度分为 1/d 个畴，所以单位表面积下的畴壁总面积是L/d , E 4 d 0 给出平衡数值 d 10 L M 17 S 所以片状畴单位体积的总能量为： F E 2M 104 17 S L L 封闭畴形式能量的计算 考虑到Ld ，采用封闭畴形式样品表面单位面积内的畴壁面积： 1  d  L 2 1 d  d S L d 14 1  v d  d  2  d 闭流畴的体积： d 2 2  2 因而样品表面单位面积下方柱体的总能量为：