第一章 集成电路工艺总结.docVIP

4#210宿舍 集体版总结 引言 第一只晶体管 ?第一只晶体管, ATT Bell Lab, 1947 ?第一片单晶锗, 1952 ?第一片单晶硅, 1954 (25mm，1英寸) ?第一只集成电路（IC）, TI, 1958 ?第一只IC商品, Fairchild, 1961 摩尔定律晶体管最小尺寸的极限 ?价格保持不变的情况下晶体管数每12月翻一番，1980s后下降为每18月翻一番； ?最小特征尺寸每3年减小70% ?价格每2年下降50%； IC的极限 ?硅原子直径: 2.35 ?； ?形成一个器件至少需要20个原子； ?估计晶体管最小尺寸极限大约为50 ?或0.005um，或5nm。 电子级多晶硅的纯度 一般要求含si99.9999以上，提高纯度达到99.9999999—99.999999999%（9-11个9）。其导电性介于10-4-1010 。电子级高纯多晶硅以9N以上为宜。 1980s以前半导体行业的模式 1980s以前：大多数半导体公司自己设计、制造和测试IC芯片，如 Intel，IBM 1990s以后半导体行业的模式 FF模式，即Foundry(代工)+Fabless(无生产线芯片设计), 什么是Foundry 有晶圆生产线，但没有设计部门；接受客户订单，为客户制造芯片； IC流程图: 接受设计订单→芯片设计→EDA编辑版图→将版图交给掩膜版制造商→制造晶圆→芯片测试→芯片封装 硅片制备与高温工艺 单晶生长：直拉法 区熔法 高温工艺:氧化，扩散，退火。 Si集成电路芯片元素组成 ■半导体（衬底与有源区）：单晶Si ■杂质（N型和P型）：P (As)、B ■导体（电极及引线）：Al、Wu（Cu 、Ti）、poly-Si ■绝缘体（栅介质、多层互连介质）：SiO2、Si3N4 硅的重要性 ■储量丰富，便宜；（27.6％） ■SiO2性质很稳定、良好介质，易于热氧化生长； ■较大的禁带宽度（1.12eV），较宽工作温度范围 硅提纯 I的工艺步骤、化学反应式及纯度 从石英砂到硅锭 ■石英砂（SiO2)→冶金级硅(MGS) ■HCl与MGS粉反应形成TCS■（trichlorosilane：氯硅烷） ■利用汽化和冷凝提纯TCS ■TCS与H2反应形成多晶硅(EGS) ■熔融EGS和拉单晶硅锭 从硅锭到硅片 单晶硅锭→整型→切片→磨片倒角→刻蚀→抛光→清洗→检查→包装 化学反应式 硅提纯I 多晶硅淀积 直拉法的拉晶过程 拉晶过程 ①熔硅②引晶（下种）③收颈④放肩 直拉法的拉晶过程中收颈的作用 目的：抑制位错从籽晶向晶体延伸 直拉法与区熔法的对比 直拉法，更为常用(占75％以上) ⑴便宜⑵更大的圆片尺寸(300mm已生产)⑶剩余原材料可重复使用⑷位错密度：0～104cm2 区熔法 ⑴高纯度的硅单晶(不使用坩锅)（电阻率2000Ω-mm）⑵成本高，可生产圆片尺寸较小(150mm)⑶主要用于功率器件⑷位错密度：103～105cm2 定位边或定位槽的作用 ①识别晶向、导电类型及划片方向 ②硅片（晶锭）机械加工定位的参考面； ③硅片装架的接触位置 外延的定义：外延、外延层、外延片、同质外延、异质外延 外延层：单晶衬底上单晶薄膜层 外延：同质外延和异质外延 同质外延：衬底与外延层为相同晶体，晶格完全匹配 异质外延：衬底与外延层为不同晶体，晶格不匹配 双极晶体管（电路）和CMOS器件（电路）中外延层的应用 双极晶体管（电路）中外延层的应用 ■高阻的外延层可提高集电结的击穿电压 ■低阻的衬底（或埋层）可降低集电极的串联电阻 CMOS器件（电路）中外延层的应用 减小pnpn寄生闸流管效应降低漏电流 Si外延的源材料 ■Si源气体：SiH4(硅烷), SiH2Cl2(二氯硅烷), SiHCl3(三氯硅烷), SiCl4(四氯硅烷) 掺杂剂 N型掺杂剂：PH3, AsH3 P型掺杂剂：B2H6 分子束外延（MBE）的特点 高温工艺设备小结 ■高温工艺通常使用炉管反应室； ■反应炉通常由控制系统、气体输运系统、反应腔、装卸片系统和尾气处理系统构成 ■立式炉管使用最广泛，因为其占地面积小、污染控制好、维护量小 ■温度控制的精确性和均匀性对于高温工艺的成功至关重要 氧化膜在IC中的应用 ■掺杂阻挡层■表面钝化(保护)?■隔离层■栅氧化层■MOS电容的介质材料 各种氧化层在工艺中的应用、厚度及工艺 掺杂阻挡氧化层应用 ■Much lower B and P diffusion rates in SiO2than that in S ■SiO2can be used as diffusion mask 表面钝化(保护)氧化层应用 ■Pad Oxide衬垫（缓冲）氧化层, Screen Oxide屏蔽氧化层 Sacrificial Oxide牺牲氧