种沟槽型场限环vdmosfet终端结构.pdfVIP

第 46卷第 1期 微 电 子 学 Vo1．46，No．1 2016年 2月 M icrOefPcfrO，lics Feb．2016 · 半导体器件与工艺 · 一 种沟槽型场限环 VDMOSFET终端结构 石存 明，冯全源 (西南交通大学 微电子研究所，成都 611756) 摘 要 ： 场限环结构 以其简单的工艺和较高的效率，在垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管终端 结构中得到广泛应用，但其性能的提高也有限制。沟槽型终端结构对刻蚀工艺要求较高，并未在实 际生产中得到大量应用。将场限环终端结构与沟槽终端结构相结合 ，设计 了一种沟槽 型场 限环终 端，在 149．7 m 的有效终端长度上实现了708V 的仿真击穿电压。此结构可以得到较大的结深， 硅体 内部高电场区距离表面较远，硅表面电场仅为 1．83E5V／cm，具有较高的可靠性。同时，工艺 中只增加 了沟槽刻蚀和斜离子里注入 ，没有增加额外的掩膜。 关键词 ： 场限环；沟槽终端；击穿电压 中图分类号 ：TN386 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004—3365(2016)01-0132—04 A TrenchFieldLimitRingVDM OSFET Term inationStructure SHICunming，FENG Quanyuan (InstituteofMicroelectronics，SouthwestJiaotongUniversity，Chengdu611756，P．R．China) Abstract： Fieldlimitring(FLR)isrelativelymoreefficientandcanbeachievedbysimpleprocesstechnology．So itisstillwidelyused invertica1double-diffusedmetal—oxide-semiconductorfieldtransistor(VDMOS)termination structure．Butthereisstillalimitationofincreasingitsperformance．Trenchterminationisnotwidelyusedbecause 0fitshighrequirementaboutetchtechnology．A trenchFLR terminationwasdesignedwiththecombinationofFLR and trench termination structure． The simulation breakdown voltage could reach as high as 708 V with the terminationlengthofonly149．7 m．Sincethisstructurecouldreacharelativelydeeperjunction，thehighelectric fieldzoneinsidethesiliconwasfarfrom thesurface。which madethesurfaceelectricfieldofthesiliconaslow as 1．83E5V／cm．Itmeantthatitwasmorereliable．Therewasnoadditionofmasksexceptthetrenchetchandtilted ionimplantintheprocess． Keywords： Fieldlimitring；Trenchtermination；Breakdownvoltage 型_】]。延伸型主要是设置终端结构 ，使主结区的耗 1 引 言