(algainp) 红光半导体材料的介绍 - 郭艳光.docVIP

題目：AlGaInP紅光半導體材料的介紹 教授：郭艷光老師 學號：8522055 姓名：許玉晶 Introduction 在整個雷射發展的領域當中，從最早的氣態雷射、液能雷射、固態雷射到現在的半導體雷射，我們可以感受的到，半導體雷射已漸漸地闖出了屬於它自己的一片天空，因為它不但具有體積小的優點，且材料不貴、損耗的功率低、可調的雷射光的頻率及高度的穩定性。而其中又以紅光半導體雷射發展得最為成功及廣泛。 在半導體雷射開始崛起以後，已經有許多的物質成功地被研究出能發出紅光。而這其中又以AlInGaP最具代表性，因為它能在室溫底下發出波長為0.6(m的紅光雷射且是為連續波(cw)，此外，它具有很大的直接價帶能量(direct energy band-gap)，還有GaAs這個導體材料能與它有很好的晶格匹配，而可以作為半導體元件的基板及接合層，讓它能夠順利地形成雙異質結構。如圖一所示。 p-electrode p-GaAs （Cap） p-InGaAlP （Cladding layer） InGaP （Active layer） n-InGaAlP （Cladding layer） n-GaAs （Substrate） n-electrode 圖一 AlInGaP之雙異質結構 它的發光原理是：利用加順向電壓在元件兩端，使元件產生由p極指向n極的電場，將cladding layer中的電洞及電子趕到中間的活性層，當導電帶的電子往下跳至價電帶後，與電洞結合形成電子電洞對後，便會以光子的形式釋放出能量，這就是我們所看到的雷射光了。其在日常生活中最常見的運用有：寫入和讀取DVD、發光二極體（LED）、雷射筆（laser pointer） … 等等。 InGaAlP雙異質結構的特性 物質參數 任何一個物質系統皆具有許多的特性，我們用許多的符號及數量來代表它，稱之為物質參數。半導體也不例外，它也具有許多的物質參數，這在設計半導體雷射裝置時，為我們提供了不少的便利。而AlInGaP這個材料它較常用的物質參數有：band-gap energy、band offset、refractive index等。band-gap energy指的是活性介質雷射上能階（導電帶）至雷射下能階（價電帶）的能量差；band offset指的是活性介質與P極（或n極）的導電帶（或價電帶）之能量差，如圖二所示，refractive index指的則是AlInGaP對各個頻率光的折射率。 Band offset Energy band-gap Band offset cladding active cladding 圖二 Band diagram for AlGaInP double heterostructure Energy band-gap AlInGaP它真正的表示式應為(AlxGa1-x)0.5In0.5P。有研究指出，AlInGaP的energy band-gap會與Al成份的多寡有關，即Al愈多，energy band-gap愈大，Al愈少，energy band-gap愈小。這是因為Al是在週期表ⅢA族中是位於較上方的，為較小的原子，能與P形成較強的化學鍵，這就使得它們的energy band-gap較大了。這也就是圖一之結構形成的原因。其數學關係式如下： Eg