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mn 掺杂zno 薄膜的软x 射线发射光谱研究 - 无机材料学报

第 27 卷 第 3 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 27 No. 3 2012 年 3 月 Journal of Inorganic Materials Mar., 2012 文章编号: 1000-324X(2012)03-0296-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2012.00296 Mn 掺杂 ZnO 薄膜的软 X 射线发射光谱研究 1,2 2 2 金 晶 , 张新夷 , 周映雪 (1. 上海大学 材料科学与工程学院, 上海 200072; 2. 复旦大学 应用表面物理国家重点实验室, 上海 200433) 摘 要: 利用先进光源(ALS)8.0.1 光束线的软 X 射线荧光谱仪, 对采用分子束外延(MBE)设备在 200 ℃下生长的 Zn0.97Mn0.03O 和 Zn0.67Mn0.33O 薄膜样品进行了电子结构的研究. 根据共振和非共振 Mn L2,3 边的 X 射线发射光谱, 计算出 Mn L 与 Mn L 发射峰相对积分强度的比值(I(L )/I (L )), 可知样品的铁磁性与自由 d 载流子的数目有关. 在 2 3 2 3 Zn0.97Mn0.03O 中, Mn 主要处于替代位置, 并表现出较强的 Coster-Kronig(C-K)跃迁效应, 这说明样品中存在大量的 自由d 载流子. 这些非局域的 d 载流子的行为类似于巡游电子, 与 Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosid(RKKY)模型下计 算得出的间隙 Mn 提供的 4s 电子, 都可成为铁磁交换作用的媒介. 在 Zn0.67Mn0.33O 中, 自由d 载流子的数目较少以 及 MnO 团簇的存在是导致铁磁性向反铁磁性转变的主要原因. 关 键 词: ZnO; X 射线发射光谱; C-K 跃迁; 自由d 载流子 中图分类号: O484 文献标识码: A Soft X-ray Emission Spectra of Mn-doped ZnO Thin Films 1,2 2 2 JIN Jing , ZHANG Xin-Yi , ZHOU Ying-Xue (1. School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 20007

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