第1章半导体器件及其特性汇总.ppt

图1-24 三极管极间反向电流 a) ICBO b) ICEO ⑶ 集电极最大允许电流ICM ⑷ 集电极最大允许耗散功率PCM ⑸ 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO ⑹ 饱和压降UCES ⑺ 特征频率fT 图1-25 ICEO、U(BR)CEO和UCES 图1-26 三极管PCM曲线 ⒌ 三极管安全工作区 图1-27 三极管安全工作区 【例1-4】已测得三极管各极对地电压值为U1、U2、U3，且已知其工作在放大区，试判断其硅管或锗管？NPN型或PNP型？并确定其E、B、C三极。 ⑴U1=5.2V，U2=5.4V，U3=1.4V； ⑵ U1= -2V，U2= -4.5V，U3= -5.2V。 解：⑴ PNP型锗管，U1 、U2 、U3引脚分别对应B、E、C极； ⑵ NPN型硅管，U1 、U2 、U3引脚分别对应C、B、E极。 分析此类题目的步骤是： ① 确定硅管或锗管，确定集电极C。 三极管工作在放大区时UBE：硅管约0.6～0.7V，锗管约0.2～0.3V。据此，可寻找电压差值为该两个数据的引脚。若为0.6～0.7V，则该管为硅管；若为0.2～0.3V，则该管为锗管，且该两引脚为B极或E极，另一引脚为C极。 题⑴中U1 U2、题⑵中U2 U3符合此条件，因此可确定：题⑴为锗管，U3引脚对应C极；题⑵为硅管，U1引脚对应C极。 ② 确定NPN型或PNP型。 三极管工作在放大区时，满足CB结反偏条件，NPN型C极电压高于BE极；PNP型C极电压低于BE极。因此比较C极电压与BE引脚电压高低，可确定NPN型或PNP型。 题⑴中U3低于U1 U2，为PNP型；题⑵中U1高于U2U3，为NPN型。 ③ 区分B极和E极。 三极管工作在放大区时，NPN型各极电压高低排列次序为UC＞UB＞UE；PNP型各极电压高低排列次序为UC＜UB＜UE。 题⑴中U1为B极，U2为E极；题⑵中U2为B极，U3为E极。 【例1-5】已测得电路中几个三极管对地电压值如图1-31，已知这些三极管中有好有坏，试判断其好坏。若好，则指出其工作状态（放大、截止、饱和）；若坏，则指出损坏类型（击穿、开路）。 图1-31 例1-5电路 解：a）放大；b）饱和；c）截止；d）损坏，BE间开路；e）BE间击穿损坏或外部短路；或三极管好，处于截止状态；f）饱和；g）放大；h）截止。 分析此类题目的判据和步骤是： ① 判发射结是否正常正偏。 凡满足NPN硅管UBE=0.6～0.7V，PNP硅管UBE= -0.6～-0.7V；NPN锗管UBE=0.2～0.3V，PNP锗管UBE= -0.2～-0.3V条件者，三极管一般处于放大或饱和状态。不满足上述条件的三极管处于截止状态，或已损坏。 a）、b）、f）、g）满足条件； c）、d）、e）、h）不满足条件。 ② 区分放大或饱和。 区分放大或饱和的条件是集电结偏置状态： 集电结正偏，饱和，此时UCE很小，b）、f）满足条件； 集电结反偏，放大，此时UCE较大，a）、g）满足条件。 但若NPN管UC＜UE，PNP管UC＞UE，则电路工作不正常，一般有故障。 若UC=VCC（电路中有集电极电阻RC），说明无集电极电流，C极内部开路。 ③ 若发射结反偏，或UBE小于①中数据，则三极管处于截止状态或损坏。 c）、e）、h）属于这一情况。 ④ 若满足发射结正偏，但UBE过大，也属不正常情况，如d）。 1.4 场效应管 场效应管只有一种载流子（多数载流子）参与导电，称为单极型晶体管。 ⒈ 分类 ⑴ 从结构上可分为结型和MOS型(绝缘栅型)。 ⑵ 从半导体导电沟道类型上可分为P沟道和N沟道。 ⑶ 从有无原始导电沟道上可分为耗尽型和增强型。 ⒉ 内部结构和工作原理 利用电场效应原理，用输入电压开启、夹断或改变导电沟道宽窄，从而控制输出电流的大小。 ⒊ 特性曲线 ⑴ 转移特性 1）定义： 2）特点： ① 为一族曲线。|uDS|＞|UGS(off)|后，曲线族基本重合。 ② 也有死区，分别称为夹断电压UGS(off) (结型、耗尽型MOS适用)和开启电压UGS(th) (增强型MOS适用)。 ③ IDSS一般为场效应管最大电流。增强型MOS无IDSS参数。 3）数学表达式 ① 结型、耗尽型MOS： ② 增强型MOS： 图1-32 N沟道场效应管转移特性 ⑵ 输出特性 1）定义： 图1-33 N沟道场效应管输出特性曲线 a) 结型 b) 耗尽型MOS c) 增强型MOS 2）特点： ① 类似于三极管输出特性曲线。 ② N沟道结型、耗尽型N