第一章 集成电路工艺原理期末论文.docVIP

期末考试特殊考试方式 电子科学与技术学院 集成电路工艺原理 期末成绩考核报告 姓名： 学号： 1)在离子注入工艺中,有一道工艺是”沟道器件轻掺杂源(漏)区”,其目的是减小电场峰植和热电子效应!请详尽解释其原理。 【10分, 减小工作电压也可以减小漏端电场, 但工作电压不能等比例下降.因此, 只有改变器件的结构, 使漏端电场下降以抑制短沟道效应。 轻掺杂漏区（LDD）结构用栅作为掩膜中低剂量在栅下紧贴沟道区边缘注入形成（n-或p-注入），随后是大剂量的源漏注入（n+或p+注入）。源漏注入用栅氧化物侧墙作为掩膜。在高浓度源漏区和低浓度沟道区之间形成渐变的浓度梯度，使本体的+n 漏区离开高场区, 有效的减小了漏端电场的峰值，减少了热载流子，解决了短沟道效应这一难题。 2)在电极形成工艺中,用到金属Ti,请详尽说明金属Ti的相关工艺, 以及金属Ti在相关电极结构中的作用。 【10分1、双辉等离子表面冶金Ti-Cu阻燃合金的制备工艺?利用双层辉光离子渗金属技术，在Ti-6Al-4V的表面渗入Cu元素，在其表面形成Ti-Cu阻燃合金层。合适的工艺参数为：870C?渗铜3.5h，渗层厚度可达到200um以上。阻燃合金层的成分呈梯度分布，显微组织为基体组织加弥散分布的Ti2Cu金属间化合物。 ?2、电化学还原TiO2制备金属钛的工艺? 采用熔盐电解法，在900C?熔盐CaCl2中以烧结T