电力电子器件概要1.docx

东南大学《电力电子技术基础》实验报告实验名称：电力电子器件院（系）：自动化专业：自动化姓名：学号：实验室：实验时间：2016年 12月11日评定成绩：审阅教师：目录1晶闸管（SCR）···················································31.1 工作原理···············································31.2优缺点·················································42 门极可关断晶闸管（GTO）·········································42.1 工作原理················································42.2 优缺点··················································53大功率晶体管（GTR）·············································53.1工作原理················································5 3.2优缺点··················································54电力场效应晶体管（P-MOSFET）···································6 4.1 工作原理···············································64.2 优缺点·················································65绝缘栅双极晶体管（IGBT）·······································6 5.1 工作原理···············································65.2 优缺点·················································71 晶闸管（SCR） 工作原理晶闸管实质上是一种可控的单向导电开关，其反向始终能承受反压，即具有反向阻断特性；正向则可以有两个稳定的工作状态，即呈高阻抗的阻断工作状态，和呈低阻抗的导通工作状态。阻断工作状态当晶闸管门极G与外电路断开时，则晶闸管在它的两个方向上均呈阻断工作状态，如图1.1(a)(b)所示。图1.1(a)晶闸管阳极A加正电压，阴极K加负电压（此时称晶闸管正向偏置）。具有四层结构的晶闸管可以看出是三个二极管的串联，即三个结j1、j2、j3可以看成是三个二极管，这时结j1、j3正偏，而结j2反偏，故晶闸管呈阻断状态。图1.1(b)是阳极加负电压，阴极加正电压（此时称晶闸管反向偏置），这时是结j2正偏，而结j1、j3是反偏，故晶闸管亦呈阻断状态。图1.1 晶闸管阻断工作状态导通工作状态图1.2(a)为晶闸管结构，将其中间部分分为两部分并用导体连接起来，则变成图1.2(b)，可视为两只复合晶体三极管，即p-n-p型晶体三极管VT1和n-p-n型晶体三极管VT2，如图1.2(c)。图1.2 晶闸管等效电路当存在门极电流时，由于强烈的正反馈作用使得电流增加，同时，也随之增加，当时，两晶体三极管处于饱和导通，即晶闸管由阻断转为导通。晶闸管导通以后，由于两晶体三极管间的正反馈作用，仍然保持导通，且处于深度饱和状态，而与门极电流是否提供无关。 优缺点优点用很小的功率控制较大的功率，功率放大倍数可达到几十万倍；控制灵敏，反应快，晶闸管的导通和截止微秒级；损耗小，晶闸管本身的压降仅为1V左右；体积小，重量轻。缺点：静态及动态的过载能力较差，容易受干扰而误导通。2门极可关断晶闸管（GTO）2.1 工作原理GTO可看成是多个小的SCR并联而成，这些小的SCR共有阳极，门极和阴极则形成多个独立的pn结单元。每个门极和阴极单独引线，成为单胞GTO。（1）开通过程GTO的开通过程与SCR一样。（2）关断过程如图2.1所示，如果在门极相对阴极加负电压时，晶体管p1n1p2集电极电流的一部分被抽出，形成了门极负电流。n1p2n2晶体管基极电流减小，它的集电极电流也减小，于是引起了的进一步下降。因为GTO导通时远小于1，所以p1n1p2晶体管电流只是发射极电流的很小一部分，抽走了这部分就可以使两个晶体管截止，即GTO关断。图2.1 GTO晶闸管的双晶体管模型2.2 优缺点（1）优点：电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强。（2）缺点：电流关断增益很小，关断时门