第15章平衡状态的半导体.pptVIP

电子科技大学光电信息学院陈德军 15.3 热平衡载流子的统计分析——杂质半导体讨论 费米能级的变化讨论——随温度的变化 EF NC=0.11ND (EC+ED)/2 n型半导体 1/3电离区 EF EC EV EA Ei T E 0 (EV+EA)/2 p型半导体 饱和区 本征区 n型半导体的费米能级在Ei之上 p型半导体的费米能级在Ei之下 0 EC EV ED Ei T E NC=0.5ND NV=0.5NA NV=0.11NA NV=0.5NA 电子科技大学光电信息学院陈德军 15.3 热平衡载流子的统计分析——杂质半导体讨论 载流子浓度——随温度的变化 p型半导体与之类同 低温弱电离区 饱和区 本征区 半导体无论极性，随着温度的增加，电子和空穴浓度都在增加 电子科技大学光电信息学院陈德军 15.4 简并半导体 非简并半导体和简并半导体的区别 非简并半导体 简并半导体 3 饱和区内：NDNC或者NANV，常温下完全电离 常温下ND≥NC或者NA ≥NV，不能完全电离 1 轻掺杂 重掺杂 4 电子空穴服从波尔兹曼统计分布 电子和空穴必须服从费米狄拉克统计分布 5 费米能级在禁带中 费米能级非常靠近或者进入导带或价带 2 常温下载流子浓度低 常温下载流子浓度高 6 杂质能级→局部能级 杂质能带→连续能带 电子科技大学光电信息学院陈德军 15.4 简并半导体 简并半导体载流子浓度公式 费米分布 费米积分 电子科技大学光电信息学院陈德军 15.4 简并半导体 简并半导体载流子浓度公式 F1/2(0)=0.6 电子科技大学光电信息学院陈德军 15.4 简并半导体 简并化条件 非简并 弱简并 简并 非简并 弱简并 简并 一般讲费米能级进入导带或者价带，看成简并化的条件 电子科技大学光电信息学院陈德军 15.4 简并半导体 简并时的杂质浓度 以n型简并半导体为例…… 1. 电中性方程——常温下 简并半导体不完全电离 电子科技大学光电信息学院陈德军 15.4 简并半导体 简并时的杂质浓度 以n型简并半导体为例…… 2. 简并化条件→EF=EC 0 =0.6 分析： 1.中括号内的值3，故发生简并时NDNC 2.发生简并的杂质浓度与杂质电离能有关，其值越小，发生简并化的杂质浓度越小 掺杂大于此值，半导体才会进入简并态 电子科技大学光电信息学院陈德军 15.4 简并半导体 简并时的杂质浓度 分析： 1.中括号内的值3，故发生简并时NDNC 2.发生简并的杂质浓度与杂质电离能有关，其值越小，发生简并化的杂质浓度越小 简并化条件 3.发生简并时，施主不可能完全电离 发生简并化所需的掺杂浓度 电子科技大学光电信息学院陈德军 15.4 简并半导体 杂质带导电 1.简并状态下，由于重掺杂，杂质原子之间的电子共有化程度加强，使得孤立的杂质能级扩展成连续的杂质能带； 2.简并状态下，杂质能带的出现有可能与导带或价带重叠，改变原有的能带结构，使得禁带宽度变窄； 电子科技大学光电信息学院陈德军 15.4 简并半导体 以上的讨论对于p型半导体同样适用，得到的结论也类同 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 电子科技大学光电信息学院陈德军 15.3 热平衡载流子的统计分析——状态密度 导带底的和价带顶的状态密度： DC(E)DV(E) 同理 导带底的状态密度 价带顶的状态密度 E DC(E) 对电子而言 E DV(E) 对空穴而言 电子和空穴能量相反 电子科技大学光电信息学院陈德军 15.3 热平衡载流子的统计分析——统计分布 非简并半导体服从玻尔兹曼统计分布 非简并半导体 载流子浓度低 同一能级被两个电子占据的几率低 不受泡利不相容原理限制 费米分布与经典分布统一 选择玻尔兹曼统计分布 费米分布 玻尔兹曼分布 电子统计分布 空穴统计分布 E-EFkBT EF-EkBT 费米能级位于禁带中并且与导带底和价带顶的距离远大于kBT 简并半导体必须服从费米分布 电子科技大学光电信息学院陈德军 15.3 热平衡载流子的统计分析——统计分布 无法区分处 电子科技大学光电信息学院陈德军 15.3 热平衡载流子的统计分析——载流子浓度公式 平衡非简并半导体电子浓度公式的讨论：n0 1、我们已经讨论了状态密度和统计分布的公式； 2、积分限的讨论：由于电子在导带顶以上分布基本为0，故可以将积分上限由EC/变为∞，不影响结果； 电子科技大学光