第一章 集成电路制造工艺之——扩散.pptVIP

3. 扩散结深的测量 扩散结深常用磨角染色法和磨槽染色法测量。如图所示。 显结液如下：对PN结显示P区，用HF:HNO3:H2O=500:1:500，红外灯照射1min后，P区变暗； 对PN结显示N区，用CuSO4?5H2O:HF:H2O=5g:2ml:50ml，红外线照10s，N区染上铜。 4. 杂质浓度分布的测量 杂质浓度分布可以用C-V法测量，它的原理是利用测得的电容与耗尽层的厚度有关，从而可以算出杂质浓度，如图示出了几种测量结构。 描述菲克第一定律, 给出扩散流密度的一维表达式, 并说明杂质在半导体中的扩散系数与什么因素有关? 杂质原子的扩散方式（两大类） 简述两步扩散工艺过程及作用 考虑Si中的点缺陷, 说明B和P杂质在Si中的扩散机制. 什么是氧化增强扩散? 说明B和P的氧化增强扩散机理. 扩散工艺分类及其特点 什么是快速气相掺杂与气体浸没激光掺杂？说明他们各自的特点及二者的异同点。 第三章作业 * ①杂质分布形式 有限表面源扩散的主要特点 扩散温度相同时，扩散时间越长，杂质扩散的越深，表面浓度越低。 扩散时间相同时，扩散温度越高，杂质扩散的越深，表面浓度下降越多。 温度相同时，杂质的分布情况随扩散时间的变化如图所示，有限表面源扩散在整个扩散过程中杂质数量保持不变，各条分析曲线下面所包围的面积相等。 有限源