微型逆变器原理及应用-提高效率方法.pdfVIP

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2017-07-05 发布于天津
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微型逆变器原理及应用-提高效率方法.pdf

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微型逆变器原理及应用-提高效率方法.pdf

微型逆变器应用传统线路输出采用600V的低频工作MOSFET 无‘无功补偿’ 新的设计需要输出逆变高频化以尽可能提高无功补偿氮化镓适合高频，高效传统的采用变压器升压400V + L1 L1 + D1 D G 因氮化镓支持大比例升压且高效率达98 以上。 VIN C1 VOUT 不同于传统的硅MOSFET,可直接boost升压 S Q1 * 降低成本，空间节省 * 降低成本，空间节省微型逆变器应用- 500W实例采用氮化镓THP3006的温度明显低于COOL-MOSFET C6 产品。81.7’C VS 46.7’C 效率直接提高2.5% 产品的应用：逆变器INVERTER 采用GaN的逆变器应用—1500W ，DEMO 板DC400Vin, 240Vacout, 98.7%, 成本明显下降 TPH3006PS SI-8230 TI DSP Silicon-Labs 同样大的逆变器产品,氮化镓的体积减小了一半左右,同时整体成本下降100USD,售价反提高了100USD. 效率反提高了1.5个点. 4500W, 频率从16K提到到50K 散热器,风散,驱动电路,电感,EMC 电路可大大减小体积,还有填充物 GaN 与Si在电路上的对比氮化镓材料MOSFET -HEMT 管极二内体无镓化氮性特管极二有但硅材料MOSFET/ Cool Mos MOSFET发热源: 氮化镓MOS发热源: 1,Rds(on)损耗,