低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索.PDF

第 24卷 第 3期 发 光 学 报 ‘ V01．24 NO．3 2003年 6月 CHINESEJOURNAlOFLUMINESCENCE Jun．，2003 文章编号：1000—7032{2003)03—0301—04 低成本衬底上多晶硅薄膜电池的探索 许 颖 ，励旭东 ，王文静 ，于 元 ，赵玉文 ，沈 辉2 (1．北京市太阳能研究所，北京 100083；2．中国科学院广州能源所，广东 广州 51oo7o) 摘要 ：在低成本、两种纯度的P 颗粒硅带衬底(SSP)h，采用RT化学气相沉积(cvD)技术制备了多晶硅 薄膜 电池。无论高纯硅粉还是低纯硅粉制备的SSP衬底杂质含量都很高且表面凹凸不平；采用 4tJm／min的 沉积速率和钝化作用得到了高质量外延多晶硅薄膜。通过扩散工艺制成的多晶硅薄膜太阳电池的转换效率 分别为6．25％(高纯硅粉制成的SSP衬底)和 4．5％(低纯硅粉制成的SSP衬底)。 关 键 词：颗粒硅带；薄膜；太阳电池 中图分类号：TN366 文献标识码：A 漏到传送带上的石英托盘中。硅粉颗粒大小约为 引 言 100--400t~m，在托盘上铺成相同厚度的一层，硅 光伏电池的应用是解决 日益严重的能源危机 粉宽度约20cm。然后，随传送带送入加热 区，传 和环境污染的重要途径之一。体硅 电池价格过高 送速率约为 50mm／min。 是影响其大规模应用的重要 因素，其中电池的材 反应室里用氩气保护。送入的硅粉通过一排 料成本 占电池成本的30％～40％。 卤钨灯预热，使温度升高到一定程度。随后进入 非晶硅电池实验室的最高转换效率 14．6％， 半椭腔第一表面熔化区，半椭腔的一个焦线上放 稳定效率 13％。产业化的组件效率 6％～8％。非 置一 卤钨灯，在对应 的另一个焦线位置形成高热 晶硅电池有严重 的效率衰减 问题 (w 效应)。 熔区，可使一定厚度的硅粉被熔化，托盘和硅粉接 两结、三结电池虽然减小了光衰减问题 ，但 由于工 触面附近的硅粉依然为固态。被熔化后的液态硅 艺复杂使成本降低的潜力减小，至今非晶硅 电池 下沉到最下面，硅粉上升，随着液态硅的凝固，上 组件成本与晶硅 电池相 比没有明显优势。所以在 面的硅粉随之被粘连起来，形成一个粗糙的硅带。 廉价衬底材料上制备晶硅薄膜电池是世界主要研 进入第二个表面熔化区后，表层的硅再次被熔化， 究机构的研究方 向…。为了得到高质量、大晶粒 硅带通过一定的温度梯度冷却再结晶后，表面更 的非晶硅薄膜，人们通常采用高温工艺，这就要求 加平滑、晶粒更大 、结构更致密。 衬底有 良好的耐高温性能、热膨胀性和机械性能。 2．2 衬底分析 到 目前为止，人们用于制备薄膜 电池的衬底材料 扫描 电镜(SEM)给出了衬底的形貌，俄歇 电 有石墨、多铝红柱石、陶瓷和硅基材料 (如低纯度 子能谱(AES)和等离子体发射光谱 (ICPAES)给 硅带)等等[2-5J。在所有这些衬底 中，硅基材料 出了样 品的成分。为了避免表面氧化造成的影 具有其他材料无法 比拟的优势，成为首选。 响，样品在测量前均经过酸性腐蚀液去掉了一薄 所采用的高纯颗粒硅带是 由德 国Fraunhofer 层并用Ar离子轰击。 太阳能系统研究所L6制备的，低纯度颗粒硅带是 2．3 电池工艺 用国产硅粉制备的。 图1给出了电池的侧面结构 图。电池工艺