化学表面改质对奈米碳管场发射特性之影响.PDF

2008 03 1 2 3 2 1 2 3 密切的關係。通常我們會以針尖陣列作為場發射陰極，由於 奈米碳管(Carbon Nanotubes, CNTs) 自從在1991年被日 針尖部分的電位梯度變化很大，會使得針尖處產生局部的大 本學者Iijima發現後 [1] ，它獨特的結構及奇特的物理、化學及 電場，如此一來，在β值很大情況下，不需高操作電壓即可 機械特性，馬上吸引許多研究人員投入到研究奈米碳管的相 驅動陰極上的場發射針尖放射電子束。奈米碳管由於本身為 關應用。從奈米碳管場效電晶體(CNTFETs) 、奈米導線、場發 具有高深寬比和極小端口半徑之奈米材料，因此可視為一奈 射顯示器(CNT Field Emission Displays, CNTFEDs) 、貯氫材料 米針尖結構，為非常理想的場發射陰極材料。 中的燃料電池(Fuel Cells)及超級電容(Supercapacitors) 、到化 [2-8] 學反應器與生醫偵測器(Biosensor)都可以找到它的應用 。 在眾多的應用當中，最接近商業化的非奈米碳管場發射顯示 器莫屬 [4-6] 。奈米碳管在結構上是屬於一維奈米材料，具有 高深寬比和極小的端口半徑，表面鍵完整，導電性高，環境 穩定性極佳，因此具有性能與穩定性極佳的場發射特性， 非常適合作為場發射顯示器與眾多真空微電子元件(vacuum microelectronic devices)中的電子源，例如場發射LCD背光模 組與高頻場發射真空微波放大器(High-Frequency Microwave [7-8] Amplifier) 。 電子的場發射效應是以量子力學理論中的穿隧效應 (Tunneling Effect)為基礎。在無任何外加電場情況下，導體內 部的電子必須具有足夠的能量，才有機會可以越過導體與真 空介面間的位能障，但是當足夠之外加電場作用於陰極尖端 時，將會使導體表面附近之真空能階與表面功函數降低，造 成能帶彎曲現象。此時電子可以不需要額外的能量，即可穿 越導體表面之位能障而進入真空區(視圖1) 。根據R. H. Fowler 和L. W. Nordheim量子力學的理論推導出場發射的電流密度(J: 1 -2 [9] A cm )與外加電場強度(E:V cm )的關係 ，經簡化後如下： -1 (1) A和B為常數，值的大小分別為1.56 ×10-6 -2 (A eV V ) 和6.83 7 -3/2 1 ×10 (V eV cm- ) ，Φ是材料功函數單位為電子伏特(eV) ， β是電場增益係數(Field Enhancement Factor) ，它決定了 近來，利用化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition, 局部電場(local E fiel