含砷之硫属化合物半导体之光电及热电性质.PDF

行 硫 精 類 行 年年 行 立 料 參理 理黄 理林 理 理 年 ▓ 成 果 報 告 行政院國家科學委員會補助專題研究計畫 □期中進度報告 含砷之硫屬化合物半導體之光電及熱電性質 Optoelectronic and thermoelectric properties of arsenic incorporated chalcogenide semiconductors 計畫類別：▓ 個別型計畫 □ 整合型計畫 計畫編號： NSC 97 －2221－E－259－004－ 執行期間： 97年 8 月 1日至 98年 7月 31日 計畫主持人：吳慶成 共同主持人： 計畫參與人員： 吳冠樺 黃吳叡 黃士賢 林伯軒 成果報告類型(依經費核定清單規定繳交)：□精簡報告 □完整報告 本成果報告包括以下應繳交之附件： □赴國外出差或研習心得報告一份 □赴大陸地區出差或研習心得報告一份 □出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 處理方式：除產學合作研究計畫、提升產業技術及人才培育研究計畫、 列管計畫及下列情形者外，得立即公開查詢 □涉及專利或其他智慧財產權，□一年□二年後可公開查詢 執行單位：國立東華大學材料科學與工程學系 中 華 民 國 九十八 年 十 月 二十三 日 0 含砷之硫屬化合物半導體之光電及熱電性質 吳慶成 (C. C. Wu) 國立東華大學材料科學與工程學系 (NSC －97－2221－E－259－004) 本計畫以垂直式布里茲曼法（Vertical Bridgman method）成長含砷之晶質（crystalline）硫屬三元 化合物 As (Te Se ) ，成分x 分別為0 、0.05 、0.1 、0.15、0.2。利用X-ray 繞射儀（XRD）分析其結晶結構，利 2 1-x x 3 用掃描式電子顯微鏡（SEM）觀察晶體表面型態， 並利用電子微探儀（EPMA）分析材料結構與成分及利用拉曼 光譜（Raman）鑑定結晶品質。在150K-300K的溫度範圍進行熱電特性量測，探討隨著Se的含量增加，三元化 合物 As (Te Se ) 之電阻率、Seebeck係數及熱傳導與溫度之間的變化關係。在室溫下進行電阻率與霍爾係數 2 1-x x 3 量測，分析隨著Se的含量增加其電學特性之變化。並利用熱調制光譜量測得到其能隙( Eg )與 Se含量的變化關 係，其關係式為: