用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量3.PDF

华 南 理 工 大 学 学 报 ( 自 然 科 学 版 ) 第 33卷 第 7期 Jou rnal of Sou th Ch ina U n iversity of Techno logy Vol. 33　No. 7 2005年 7 月 (N atu ral Science Edition) Ju ly　2005 文章编号 : 1000- 565X (2005) 07- 0028- 04 　 用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量 1 2 3 3 2 3 1 1 胡芸菲 　沈 　辉 　王 　磊 　邹禧武 　班 　群 　梁宗存 　刘正义 　闻立时 ( 1. 华南理工大学 机械工程学院 , 广东 广州 510640; 2. 中山大学 太阳能系统研究所 , 广东 广州 510275; 3. 中国科学院广州能源研究所 , 广东 广州 510640) 摘 　要 : 以颗粒硅带为衬底 ,通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性 层. 为了改善硅带衬底的质量 ,引入区熔再结晶的方法 ,期望将其表面平整度及结晶质量 ( ) 进一步提高 ,进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量. 借助台阶仪 、X 射线衍射 XRD 、 ( ) 扫描电镜 SEM 等手段对颗粒硅带及多晶硅薄膜进行了表面轮廓 、结晶质量和微观形貌 的表征. 结果表明:区熔后的颗粒硅带表面平整度得到了较好的改善 ;表面具有 [ 3 11 ]择 优方向的硅带区熔后都倾向 [ 111 ]择优 ;在区熔硅带衬底上沉积的多晶硅薄膜晶粒尺寸 μ 在 100 m 以上 ,但暂无明显证据证明区熔对薄膜结晶质量有显著提高. 关键词 : 区熔 ; 颗粒硅带 ; 多晶硅薄膜 ; 平整度 ; 择优取向 中图分类号 : TK 514　　　　文献标识码 : A 　　为了降低太阳电池的成本 ,采用薄膜硅替代传 率慢 ,结晶质量不高 ,制备的太阳电池效率偏低. 另 统的体硅材料是当今光伏研究领域的一大热点. 其 一类是采用廉价的硅衬底 ,如带硅材料. 由于是硅上 中多晶硅薄膜太阳电池吸引了众多的科研工作者进 长硅 ,薄膜与衬底的热膨胀系数 、晶格常数等都匹 行这一方向的探索. 它的特点是在廉价的衬底上沉 配 ,在高温下容易得到优质的多晶硅薄膜. 本研究中 积一层高纯的多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层. 使用 的颗粒硅带 ( Silicon Sheet from Powder, 简称 μ 这层薄膜 的厚度通常只有 30 ～50 m , 研究表 明 ) SSP 是实验室自制的一种廉价的硅衬底 ,它的特点 μ 30 m厚的硅层可吸收将近 80% 的太阳光 ,从经济 是避免了常规的高能耗和切割带来的材料损失. 但 μ 上考虑 , 30