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纳米抛光液与纳米级抛光液及其应用 纳米级抛光液制备方法：本发明属于研磨料技术领域，由纳米级金刚石粉、非离子型分散稳定剂、抗静电剂、净洗剂、和Ｃ９以下轻质白油或石脑油组成，其制备方法为将纳米金刚石机械研磨成粉体，烘干；加入分散稳定剂，加热混合使粉体润湿；加入白油或石脑油，抗静电剂，净洗剂，以及适量pＨ值调节剂，并不断搅拌，将混合物分散成悬浮液。本发明将产品的表面抛光质量提高到亚纳米量级，以适应于计算机磁头、光学器件和陶瓷等高精度表面研磨和抛光之用。 集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液:一种用于集成电路多层互连结构铜/钽化学机械抛光(CMP)的一步抛光工艺技术及相应纳米抛光液。对于互连结构的铜/钽多层膜体系的化学机械抛光,通过本发明的“一步抛光工艺”,单头抛光机能够代替昂贵的多头抛光机,实现多层膜的分步抛光。通过化学机械抛光过程中多层膜体系界面间在线检测信号(声学、力学、电学或光学信号)差异的反馈,对抛光液实施分段应用,有效改善了原有的单一抛光液或分步抛光中存在的低速率及选择性问题。该抛光工艺及相应纳米抛光液有效改善了单一抛光液的速率问题;以单头抛光机代替多头抛光机,降低了设备成本;同时抛光后表面损伤少、易清洗,抛光液不腐蚀设备、不污染环境。 高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液:一种用于半导体器件中高介电常数介电材料钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液。该CMP纳米抛光液包含有纳米研磨料、螯合剂、pH调节剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境,主要用于新一代高密度存储器(DRAM)电容器介电材料及CMOS场效应管的栅介质——高介电常数介电材料钛酸锶钡的全局平坦化。利用上述纳米抛光液采用化学机械抛光方法平坦化高介电常数介电材料钛酸锶钡,抛光后表面的粗糙度降至0.8nm以下,抛光速率达200～300nm/min;抛光后表面全局平坦度高,损伤较少,是制备超高密度动态存储器(DRAM)及CMOS场效应管时高介电材料平坦化的一高效抛光液。 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用:一种用于硫系化合物相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境,主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)制备纳电子器件相变存储器,方法简单易行。? 用量：推荐用量为1～5％，使用者应根据不同体系经过试验决定最佳添加量。 包装：10、20、25公斤/袋。 纳米抛光液配方技术专题,磨料抛光液,抛光装置,机械抛光类技术资料 [A30473-0019-0005] 2 [摘要] 本发明涉及一种超大规模集成电路多层布线SiO2介质的纳米SiO2磨料抛光液。该抛光液的组分及重量％如下：磨料：二氧化硅水溶胶固含量：20-45，复合碱：0.5-5.5，渗透剂：1.0-10，表面活性剂：1.0-10，螯合剂：0.5-10，余量：去离子水；将上述各组分逐级混合，搅拌均匀即可。该抛光液的配制主要以小粒径球形纳米无定形SiO2水溶胶作为基本磨料，利用氢氧化钾与多羟多胺有机碱形成的复合碱共同调节抛光液pH值范围至10.5-13.5，且复合碱中有效成分的水解产物能够与SiO2介质发生化学反应，抛光液中的渗透剂与FA/O表面活性剂强化抛光液的表面质量传递作用。该抛光液抛光效率高、周期短、成本低、污染小。 [A30473-0007-0006] 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用 [摘要] 本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)制备纳电子器件相变存储器，方法简单易行。 [A30473-0012-0007] 集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液 [摘要] 本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构铜/钽化学机械抛光(CMP) 的一步抛光工艺技术及相应纳米抛光液。对于互连结构的铜/钽多