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第3 章CMOS集成电路的物理结构第3 章CMOS集成电路的物理结构
第3 章 CMOS 集成电路的物理结构
第3 章 CMOS 集成电路的物理结构
本章目录
3.1 集成电路工艺层
3.2 MOSFET
3.3 CMOS工艺层
3.4 FET阵列设计
2016-9-9 第3章 CMOS集成电路的物理结构 1
§3.1 集成电路工艺层
硅集成电路（IC ）分层的一个主要特点：
形成图形的导体层在绝缘体的上面。
2016-9-9 第3章 CMOS集成电路的物理结构 2
§3.1 集成电路工艺层
叠放过程完成后的各层情形
2016-9-9 第3章 CMOS集成电路的物理结构 3
§3.1 集成电路工艺层
加上另一层绝缘层和第二层金属层
侧视图显示叠放顺序
绝缘层将两金属层分隔开，所以它们在电气上不同
每层的图形由顶视图表示
2016-9-9 第3章 CMOS集成电路的物理结构 4
§3.1 集成电路工艺层
互连线的电阻和电容
1 互连线电阻
l 1
R R × R
line S S
w σt
RS ：薄层电阻，方块电阻
2016-9-9 第3章 CMOS集成电路的物理结构 5
§3.1 集成电路工艺层
互连线电阻计算
Rline=RS ×n (n=l / w 方块数)
2016-9-9 第3章 CMOS集成电路的物理结构 6
§3.1 集成电路工艺层
2 互连线电容
ε wl
设满足平行板电容条件 Cline ox
T
ox
ε ：绝缘层（SiO2)介电常数，单位：F/cm
ox
2016-9-9 第3章 CMOS集成电路的物理结构 7
§3.1 集成电路工艺层
互连线上的寄生电阻和寄生电容，引起时间延迟
τ R C
时间常数： line line
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§3.1 集成电路工艺层
互连线电阻和电容
互连线电阻和电容使传播延时增加，相应于性能的下降
互连线电阻会消耗功率
互连线电容会引起额外的噪声，影响电路的可靠性
2016-9-9 第3章 CMOS集成电路的物理结构
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