第七节电涡流式传感器金属导体置于变化着的磁场中，导体内就会.DOC

第七节 　电涡流式传感器 　　金属导体置于变化着的磁场中，导体内就会产生感应电流，这种电流像水中旋涡那样在导体内转圈，所以称之为电涡流或涡流。这种现象就称为涡流效应。电涡流式传感器就是在这种涡流效应的基础上建立起来的。 　　要形成涡流必须具备下列二个条件：①存在交变磁场；②导电体处于交变磁场之中。因此，涡流式传感器主要由产生交变磁场的通电线圈和置于线圈附近因而处于交变磁场中的金属导体两部分组成。金属导体也可以是被测对象本身。 　　如图3-33a所示，如果把一个扁平线圈置于金属导体附近，当线圈中通以正弦交变电流时，线圈的周围空间就产生了正弦交变磁场，处于此交变磁场中的金属导体内就会产生涡流，此涡流也将产生交变磁场，的方向与的方向相反。由于磁场的作用，涡流要消耗一部分能量，从而使产生磁场的线圈阻抗发生变化。 　　可以看出，线圈与金属导体之间存在着磁性联系。若把导体形象地看作一个短路线圈，其间的关系可用图3-33b所示的电路来表示。线圈与金属导体之间可以定义一个互感系数，它将随着间距的减少而增大。根据克西荷夫定律，可列出方程 (3-76) 解之得 (3-77) 　　式中——线圈的电阻和电感； 　　　　——金属导体的电阻和电感； 　　　　——线圈激励电压； 　　由的表达式可以看出线圈受到金属导体影响后的等效阻抗为 (3-78) 等效电阻、电感分别为 (3-79) 　　在等效电感中，第一项与磁效应有关。若金属导体为非磁性材料，就是空心线圈的电感。当金属导体是磁性材料时，将增大，而且随着的变化而变化。第二项与涡流效应有关，涡流引起的反磁场将使电感减小，越小，电感减小的程度就越大。 　　等效电阻总是比原有的电阻来得大，这是因为涡流损耗、磁滞损耗都将使阻抗的实数部分增加。显然，金属导体材料的导电性能和线圈离导体的距离将直接影响这实数部分的大小。由式(3-79)也可以得到线圈的品质因数为 (3-80) 　　式中——无涡流影响时线圈的值； 　　　　——金属导体中产生涡流的圆环部分的阻抗，。 　　由上可知，被测参数变化，既能引起线圈阻抗变化，也能引起线圈电感和线圈值变化。所以涡流传感器所用的转换电路可以选用中的任一参数，并将其转换成电量，即可达到测量的目的。这样，金属导体的电阻率、磁导率、线圈与金属导体的距离以及线圈激励电流的角频率等参数，都将通过涡流效应和磁效应与线圈阻抗发生联系。或者说，线圈阻抗是这些参数的函数，可写成 　　若能控制其中大部分参数恒定不变，只改变其中一个参数，这样阻抗就能成为这个参数的单值函数。例如若被测材料的情况不变，阻抗就成为距离的单值函数，便可做成涡流式位移传感器。 　　下面进行参数计算与分析。 　　1.涡流损耗功率 　　电涡流式传感器的物理基础是涡流效应。金属导体具有电阻，有涡流流通时便会消耗一部分电磁能量。涡流引起的能量损耗，称为涡流损耗，其大小用涡流损耗功率表示。 　　涡流损耗功率可以近似估算如下。 设金属板上的涡流区如图3-34所示，其中h为涡流深度，为涡流形成范围的外、内半径。在其中取一个涡流回路单元，半径、厚度，周长为。在这个回路单元内的涡流损耗功率为 (3-81) 式中 R——回路单元的电阻。,为材料电阻率，, 　　　　——涡流回路感应电动势有效值。可如下求得：感应电动势为 ，为回路单元所链磁通；为回路单元环内的磁感应强度。设，代入上式得，由此可知涡流回路感应电动势有效值为 (3-82) 把代入式(3-81)可得 (3-83) 　　此式说明，影响的因素有交变磁场的角频率，最大磁感应强度Bm，导体的电阻率以及涡流形成范围等。 　　2.线圈轴上磁感应强度 　　在影响涡流损耗的诸因素中，大多数因素是固定的或基本不变的，所以对涡流式传感器的工作起着重大影响的因素是金属导体内的磁场分布。尤其是对涡流式位移传感器，磁场分布对灵敏度和线性范围起着决定性的作用。 　　对传感器来说，总是希望其灵敏度高，线性范围大。欲使线性范围大，就要求磁场轴向分布范围大，欲使灵敏度高，就要求被测体在轴向移动时涡流损耗功率的变化大，亦即轴向磁场强度变化梯度大。 　　圆环形单匝载流导线在轴上产生的磁感应强度（如图3-35）根据毕奥-沙伐-拉普拉斯定律可得 (3-84) 　　式中 ——空气磁导率； 　　　　　——激励电流强度； 　　　　　——导线圆环半径； 　　　　　——轴上点距导线圆环的距离。 　　载流扁平线圈产生的磁场是由若干导线圆环的磁场叠加而成。如图3-36所示，通过截面的电流为 　　 (3-85) 　　式中——线圈匝数； 　、、b——线圈外、内径半径和厚度。 该电流在轴上距线圈端面处（即坐标原点）所产生的磁感应强度为 　　　　　　　 整个线圈在此处产生的磁感应强度为 （3-86） 　　式（3-86）表明：轴上磁感应强度是的函数，线圈的