东南大学soc课件8 存储子系统(3学时).pptVIP

笔记本电脑中各子系统占功耗的比例 * * * * * * * * * Write 1 will lead to Vt lost; could make up by putting a high voltage on WL. Destroy value when read, need to refresh. Read operation requires sense amplifier. Cs is necessary, should be included in design. * * * * * * * * * * * * * * SLC/MLC Nand 前面介绍的Nand Flash是SLC技术的Nand Flash。SLC全称为Single-Level Cell，单层单元闪存。SLC每一个单元储存一位数据，生产成本较高，晶片可重复写入十万次。SLC技术的优点是擦写次数达10万次，寿命长；功耗低；写入速度快。SLC技术的缺点是造价成本比较高；单颗芯片容量有限制。 MLC 全称为Multi-Level Cell，多层单元闪存，MLC每一个单元可储存两位数据，数据密度比较高。 MLC技术是今后NAND Flash的发展趋势，就像CPU单核心、双核心、四核心一样，MLC技术通过每Cell存储更多的bit来实现容量上的成倍跨越，直至更先进的架构问世。而SLC短期内仍然会是市场的佼