半导体材料光学带隙的计算.PDFVIP

半导体材料光学带隙的计算 禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带 结构，即与晶体结构和原子的结合性质等有关。禁带宽度的大小实际上是反映了 价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量。 禁带宽度可以通过电导率法和光谱测试法测得,为了区别用电导率法测得禁 带宽度值，用光谱测试法测得的禁带宽度值又叫作光学带隙。下面以光谱测试法 为例介绍半导体材料光学带隙的计算方法： [1] 对于半导体材料，其光学带隙和吸收系数之间的关系式为 ： αhν=B(hν-Eg)m （1） 其中α 为摩尔吸收系数,h 为普朗克常数，ν 为入射光子频率，B 为比例常数，Eg 为半导体材料的光学带隙，m 的值与半导体材料以及跃迁类型相关： （1） 当m=1/2 时，对应直接带隙半导体允许的偶极跃迁； （2 ） 当m=3/2 时，对应直接带隙半导体禁戒的偶极跃迁； （3 ） 当m=2 时，对应间接带隙半导体允许的跃迁；