电子科大微电子工艺(第二章)氧化介绍.ppt

2. 立式高温炉：节约净化室面积、提高自动化处理水平 2.6 氧化设备 立式高温炉系统 2.6 氧化设备 3. 快速升温炉 传统立式炉与快速升温立式炉的温度曲线对比 2.6 氧化设备 升温速率：15 ℃/min 降温速率：5 ℃/min 升温速率：100℃/min 降温速率：60 ℃/min 1、工艺腔 2、硅片传输系统 3、气体分配系统 4、温控系统 5、尾气系统 2.6 氧化设备 高温炉的组成： 2.7 快速热处理 快速热处理（RTA）是在非常短的时间内（几分之一秒）将单个硅片加热至400～1300℃温度范围的一种方法。 RTA的优点： 1.减少热预算（硅工艺过程中需要的热能：温度*时间） 2.硅中杂质运动最小 3.冷壁加热减少沾污 4.腔体小气氛洁净 5.更短的加工时间 RTA的应用： 1.离子注入退火，以减小注入损伤和电激活杂质 2.沉积氧化膜增密 3.硼磷硅玻璃（BPSG）回流 4.阻挡层退火（如TiN） 5.硅化物形成（如TiSi2） 6.接触合金 2.7 快速热处理 RTP系统： 2.7 快速热处理 第二章习题 书中第十章 8、18、24、25、47 已知线性－抛物线性模型为：t2ox＋Atox＝B(t + τ)。其中，tox为硅片上生长的SiO2总的厚度(μm)；B为抛物线速率系数(μm2/h)；B/A为线性速率系数(μm/h)；τ为生成初始氧化层所用的时间(h)。假如硅片在初始状态时已有100nm的氧化层。计算 (1) 在120分钟内，920℃水汽氧化过程中生长的SiO2的厚度。(2) 在120分钟，920℃水汽氧化过程中所消耗的硅的厚度是多少？已知：在920℃水汽氧化条件下，A=0.50μm，B=0.20μm2/h。 第二章作业 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 自然氧化层一般小于5nm，cross section HR-TEM表征的结果。 * 在加热和冷却过程中，氧化硅与硅有同步的膨胀与收缩，因此，氧化硅可以完美的附着在硅片表面。 * Nsi*x=Nsio2*x0；Nsi=5*10^22cm^3, Nsio2=2.2*10^22cm^3；x=0.445x0 * * 都是一种非破坏性的方法。 * 参见P157；CV测试系统中具有加热加偏压装置，目的是用来驱使沾污离子电荷的移动；在沾污离子电荷移动前后分别测得CV曲线，两根曲线之间存在一个电压差，依据电压差计算出沾污离子电荷的数量。 * 提高效率，减小热预算 * * 2.2 氧化原理 湿氧氧化：Si ＋ H2O ＋O2 → SiO2+H2 水汽氧化：Si ＋ H2O → SiO2 ＋ H2 湿氧氧化：Si ＋ H2O ＋O2 → SiO2+H2 2.2 氧化原理 H2 ＋O2 → H2O 氢氧合成工艺 氢氧合成产生水分子代替去离子水加热产生水分子 2.2 氧化原理 气体流量比很重要！ 氧化 水温 氧化 速率 均匀性 重复性 结构 掩蔽性 干氧 氧化 慢 好 致密 好 水汽 氧化 100 ℃ 最快 差 疏松 较差 湿氧 氧化 95 ℃ 快 较好 适中 基本 满足 2.2 氧化原理 三种热氧化层质量对比： 氧化前 氧化后 氧化消耗硅的厚度是二氧化硅厚度的45％左右 2.2 氧化原理 6.氧化消耗硅 2.3 SiO2在集成电路中的用途 1. MOS结构的电介质层 2. 限制带电载流子的场区隔离 3. 保护器件以免划伤和离子沾污 4. 掺杂过程中的注入阻挡层 5. 减小氮化硅与下层之间应力的垫氧化层 6. 减小注入损伤及沟道效应的注入屏蔽氧化层 7. 导电金属之间的层间介质 1. 栅氧化层：用做MOS晶体管栅和源漏衬底之间的电介质层 注：用热氧化生长方法形成 2.3 SiO2在集成电路中的用途 2. 场氧化层：用做单个晶体管之间的隔离阻挡层使它们彼此之间电气隔离。 (1) 浅槽隔离STI：Shallow Trench Isolation 注：用CVD淀积方法形成 厚度2500-15000 ? 2.3 SiO2在集成电路中的用途 厚度2500-15000 ? (2) 硅局域氧化LOCOS/选择性氧化 注：使用干湿