电子科大微电子工艺(第九章)工艺集成介绍.ppt

制作局部互连金属的步骤 1. 金属钛Ti的淀积：溅射Ti，作用：充当钨与二氧化硅的粘合剂 2. 氮化钛TiN淀积：与Ti溅射使用一台设备，在溅射Ti后不出工艺腔直接溅射TiN，氮化钛就是阻挡层金属 阻挡层金属形成的工艺目的：阻挡后续淀积的金属钨的扩散，提高器件的可靠性 3. 钨淀积：CVD法，钨的作用①比溅射铝有更好的孔填充，形成钨塞；②具有良好的磨抛特性 4. 钨磨抛 局部互连LI 工艺－大马士革 9. 通孔1和金属塞1的形成 层间介质ILD（InterLayer Dielectric）的作用：做为各层金属之间以及第一层金属与硅之间的绝缘介质材料以隔离各层金属、多晶硅或硅导电层。 制作通孔1的主要步骤 1. 第一层层间介质氧化物的淀积：APCVD或PECVD法 2. 第一层层间介质CMP：抛光后氧化层的厚度约8000? 3. 第十次光刻：光刻通孔1，通孔1的刻蚀 制作金属塞1的主要步骤 金属塞的作用：完成金属线之间的电连接。 1. 金属钛Ti的淀积：溅射Ti 2. 氮化钛TiN淀积：在溅射Ti后不出工艺腔直接溅射TiN 3. 钨淀积：CVD法 4. 钨磨抛 钨互连LI和钨塞的SEM照片 10. 金属1互连的形成 制作金属1互连的步骤 1. 金属钛阻挡层淀积：溅射Ti，此步Ti的作用①在钨塞与后续铝金属之间有良好的粘合；②提高金属叠加结构的稳定性 2. 淀积铝铜合金Al－Cu（1％） 3. 淀积氮化钛TiN：溅射法，作用：充当光刻中的抗反射层 4. 第十一次光刻：光刻金属1，刻蚀金属1 金属1的SEM照片 11. 通孔2和金属塞2的形成 制作通孔2的主要步骤 1. ILD－2氧化硅的间隙填充：HDCVD法 2. ILD－2氧化硅淀积：PECVD法 3. ILD－2氧化硅抛光 CMP 4. 第十二次光刻：光刻通孔2，通孔2的刻蚀 制作金属塞2的主要步骤 1. 金属钛Ti的淀积：溅射Ti 2. 氮化钛TiN淀积：在溅射Ti后不出工艺腔直接溅射TiN 3. 钨淀积：CVD法 4. 钨磨抛 12. 金属2互连的形成 1. 金属钛阻挡层淀积：溅射Ti 2. 淀积铝铜合金Al－Cu（1％） 3. 淀积氮化钛TiN：溅射法 4. 第十三次光刻：光刻金属2，刻蚀金属2 13. 制作金属3直到制作压点及合金 多次重复11和12完成金属3至金属4的形成工艺 淀积顶层二氧化硅和顶层氮化硅做为表面钝化复合介质 第十八次光刻：光刻压焊窗口 合金化 Full 0.18 μm CMOS Cross Section AMD处理器剖面SEM照片 14. 参数测试 探针台测试Prober 习 题 第九章（书中第9章）： 13、 16、19、25 、26、28、35 附加题 1. 在基本的双极IC技术中，隐埋层的作用是什么？对隐埋层杂质的要求是什么？ 2. 在基本的CMOS IC技术中，P阱的作用是什么？ 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 17. 光刻引线孔 工艺目的：在晶体管的基区、发射区、集电区、 电阻区以及隔离区等开出窗口以便引出金属布线。 工艺方法：湿法腐蚀、湿法去胶 引线孔版图及剖面图 18. 溅射铝 工艺目的：制作电路元器件的金属电极 工艺方法：溅射材料Al－Cu（1％），磁控溅射 工艺要求：厚度1.5μm左右 19. 光刻铝电极 工艺目的：形成电路的金属互连线 工艺方法：涂厚胶，用Cl基气体干法RIE刻蚀， 干法氧等离子体去胶。 铝电极版图及器件剖面图 20. 钝化 工艺目的：保护电路器件表面 钝化层的作用：防止金属线划伤、表 面吸潮、 表面沾污。 工艺方法：PECVD生长氧化硅和氮化硅复合介质 工艺要求：tox＝400nm左右、tSiN＝600nm左右。 21. 光刻压焊窗 工艺目的：开出金属电极窗口以便压焊键合 工艺方法：涂厚胶，干法刻蚀，干法去胶 光刻压焊窗版图 22. 合金 工艺目的：金属与器件