太阳能电池工艺培训资料.ppt

刻蚀的目的： 在扩散过程中，硅片表面和四周都生长一层PN结，若不去除边缘的PN结，制成的电池片因为边缘漏电而无法使用。 扩散时硅片表面形成了一层磷硅玻璃，磷硅玻璃不导电，为了形成良好的欧姆接触，减少光的反射，在沉积减反射膜之前，必须把磷硅玻璃腐蚀掉。 去除磷硅玻璃工艺 清洗液配制 将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。 1号槽中注入一半深度的去离子水，加入13瓶商品氢氟酸，再注入去离子水至溢流口下边缘。 向2号槽中注满去离子水。 装片 经等离子刻蚀过的硅片，经检验合格后插入承片盒。 注意，经过磷扩散处理的表面，面向承片盒的背面放置，严禁装反。每盒25片，扣好压条，装入包塑不锈钢提篮 开机 根据《磷腐槽操作规程》作业指导书打开电源、压缩空气、氮气和去离子水。 设定1槽时间1分钟，2槽时间6分钟。 投片清洗 按照《磷腐槽操作规程》作业指导书的规定确定设备自动运行的前提条件都得到满足。 将装满硅片的包塑不锈钢提篮推至0号位，按下控制板上“自动运行”按钮，设备即开始自动运行。 甩干 打开离心干燥机的电源、压缩空气、氮气和去离子水。 根据下表所列工艺参数设置甩干机工作条件。 将装有硅片的承片盒放入离心干燥机，按照设备操作规程进行离心干燥。 注意事项 在配制氢氟酸溶液时，要穿好防护服，戴好防护手套和防毒面具。 不得用手直接接触硅片和承载盒。 当硅片在1号槽氢氟酸溶液中时，不得打开设备照明，防止硅片被染色。 硅片在两个槽中的停留时间不得超过设定时间，防止硅片被氧化。 * * * * * * 甩干 清洗液配制 装片 开机 投片清洗 0.5~0.7 0.5~0.7 120℃ 8分钟 550RPM 1分钟 200RPM Time Speed Time Speed 空气压力 (MPa) N2压力 (MPa) 温度 ℃ 循环2 循环1 * 去除磷硅玻璃的目的： 1) 磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减 2) 死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了Voc和Isc。 3) 磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差。 * 检验标准 当硅片从HF槽出来时，观察其表面是否脱水，如果脱水，则表明磷硅玻璃已去除干净；如果表面还沾有水珠，则表明磷硅玻璃未被去除干净。 当硅片从出料口流出时候，如果发现尾部有部分水珠，HF槽中可以适当补些HF。 去PSG原理： SiNx:H减反射膜 * SiNx:H简介 物理性质和化学性质： 结构致密，硬度大 能抵御碱金属离子的侵蚀 介电强度高 耐湿性好 耐一般的酸碱，除HF和热H3PO4 * PECVD =Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 即“等离子增强型化学气相沉积”，是一种化学气相沉积 PECVD是借助微波使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 PECVD * 安全事项 使用和维护本设备时必须严格遵守操作规程和安全规则，因为： 本设备的工艺气体为SiH4和NH3，二者均有毒，且SiH4易燃易爆。 本设备运行时会产生微波辐射，每次维护后和停机一段时间再开机前都要检测微波是否泄漏。 * 等离子体 等离子体:由于物质分子热运动加剧,相互间的碰撞就会使气体分子产生电离,这样物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子,电子和中性粒子组成的混合物 * ＰＥＣＶＤ设备 * ＰＥＣＶＤ的目的 1）镀减反射薄膜(SiN) 其具有卓越的抗氧化和绝缘性能,同时具有良好的阻挡钠离子和掩蔽金属离子和水蒸气扩散的能力,它的化学稳定性很好,除氢氟酸和热磷酸能缓慢腐蚀外,其它酸与它基本不起作用 2）表面钝化作用 保护半导体器件表面不受污染物质的影响,半导体表面钝化可降低半导体表面态密度 3)钝化太阳电池的体内 在SiN膜中存在大量的 H,在烧结过程中会钝化晶体内部悬挂键 * ＰＥＣＶＤ的原理 3SiH4 + 4NH3 → Si3N4 + 12H2 ↑ 3SiH4 → SiH3 + SiH2 + SiH3 + 6H 2NH3 → NH2 + NH + 3H 丝网印刷与烧结 * 丝网印刷原理 丝网印刷是通过刮条挤压丝网弹性形变后将浆料漏印在需要印刷的材料上的一种印刷方式，这也是目前普遍采用的一种电池工艺。 * 电池片丝网印刷的三步骤 背电极印刷及烘干 浆料：Ag /Al浆 如Ferro 33