GaAs光电阴极激活后的表面势垒评估研究.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 60 ，No. 4 (2011) 044210 * GaAs 光电阴极激活后的表面势垒评估研究 牛 军1)2 ) 张益军1) 常本康1) 熊雅娟1) 1)( ， 2 10094 ) 南京理工大学电子工程与光电技术学院 南京 2 )( ， 473004 ) 南阳理工学院电子与电气工程系 南阳 (20 10 6 19 ;20 10 7 19 ) 年 月 日收到 年 月 日收到修改稿 Cs Cs-O ， 根据阴极制备过程中单独 激活和 交替激活两个阶段产生的光电流的峰值比 结合对电子穿过表面单 ， NEA GaAs . 势垒和双势垒后能量分布的理论曲线 提出了一种评估 光阴极表面势垒参数的新方法 利用该方法研究 ， . 、 的结果完全符合双偶极层模型理论 并且和对实测阴极电子能量分布曲线拟合的结果非常一致 该方法简单 有 ， ， NEA GaAs . 效 在不增加测试手段的前提下 丰富了对 光电阴极激活效果及表面特征评价的方法和途径 :GaAs ， ， ， 关键词 光电阴极 表面势垒 能量分布 PACS :42 . 70 . Gi ，42 . 79 . Pw ，7 1. 55 . Eq ，72 . 10 . Bg 究阴极光电流曲线，同样能够实现对表面势垒参数 . ， ［8 ］ 1. 引 言 的评估 利用本方法所得到的结果 同文献 中的 研究结果非常一致. GaAs 光电阴极是第一种被发明的负电子亲和 (NEA ) ， 势 光电阴极 也是应用最广和最具有代表性 的NEA . ， 阴极 随着研究工作的不断深入 变掺杂 ［1— 4 ］ GaAs 光电阴极逐渐成为了当前的研究热点 . 由 ， 于阴极表面电子亲和势为负 到达阴极表面的光电 . NEA 子能够轻易地发射到真空中去 对于 表面机理 ， ， 的研究 目前虽有多种理论 但双偶极层表面模型 .