热处理对离子束溅射NiCr薄膜性能和结构的影响论文.pdfVIP

2005年12月 第十三届奎困电子柬·离子束·光子束学术年套 湖南·长沙 热处理对离子束溅射Ni—cr薄膜性能和结构的影响 周继承1 晏建武” 田莉。 (1中南大学物理科学与技术学院，长沙，410083， 2南昌航空工业学院材料科学与工程系，南昌，330034) 金薄膜进行了快速热处理。用小角度x射线衍射，扫描电镜，原子力显微镜，a一台阶仪，四探针仪等分 别测量了薄膜的结构、形貌、厚度及电子学特性。结果表明：采用低能离子束溅射技术结合快速热处理 工艺可以制备性能优良的纳米Ni—Cr合金薄膜，薄膜的厚度同溅射时间成正比；经过350℃及以上温 热处理处理后具有不同的表面显微形貌。Ni—cr合金薄膜方块电阻同溅射时间成指数函数关系。薄 膜方块电阻随热处理温度的升高而降低，经450。Cx600S热处理后薄膜方块电阻不再变化。 关键词：离子束溅射技术，快速热处理工艺，纳米Ni—Cr合金薄膜 1．引言 Ni—cr合金薄膜由于具有较低的电阻温度系数，对Ni-Cr合金薄膜的研究越来越受到人们的重 视，Ni—Cr薄膜在薄膜电子器件和薄膜传感器上也得到了广为应用”删。目前，制备合金薄膜的最基本的 方法就是蒸发法、离子溅射与磁控溅射法。由于受衬底温度，溅射功率，工作气压等工艺因素的影响， 优化薄膜制备工艺变得十分关键。相对蒸发法，采用离子束溅射沉积技术制备薄膜具有明显的技术优 势：多数粒子以离子态沉积，薄膜与基地粘附力大，不但可以独立控制离子源的电流和能量，也可以方 便的控制衬底温度。溅射时的工作气压等9。 适当的热处理可使薄膜结构与性能稳定，是重要的研究方向之一M。一般来说，薄膜在生长过程 中会带人各种各样的晶体缺陷，退火处理可以减小薄膜生长中存在的缺陷。对溅射非晶态薄膜必须进 行适当的热处理，使薄膜性能趋于稳定。不同的结构取向也会对合金薄膜的性能产生大的影响…。在 热处理过程中由于Ni—cr合金薄膜成分的不同其抗氧化能力也不一样。膜层的电阻值会由于绝缘性 氧化物cr20，增多而剧烈增加川。因此制定出更为合理的制备工艺和热处理工艺将是目前Ni-Cr合金 薄膜研究的当务之急方向。 纳米薄膜因对外界的敏感程度大，响应快，已成薄膜应变压力传感器芯片的关键技术与重要材 料。研究表明采用双离子束溅射沉积薄膜技术可以制备优质金属纳米薄膜“”q。 本文采用低能双离子束溅射与快速热处理相结合的技术方案制备了性能优良的纳米Ni—cr合金 薄膜，并研究了离子束溅射制备工艺、热处理工艺对薄膜结构性能的影响与它们间的相互变化关系。 2．实验 基金项目：国家自然科学基金(项目60371046)资助 联系：周继承。男，教授，博士生导师，nlI+8“0731—8836381E—mail：jieheng@mail．惝u．edu．cn 2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 压为700 ADVANCE 快速热处理温度为350℃一6006C；时间为20S一600S。用D8X射线衍射仪进行了小角度X 射线衍射分析。观察了薄膜经不同热处理后的晶态变化；用SOLVERP47型多模式原子力显微镜和 FEI IQ台阶仪测量了不同溅射时间的薄膜厚度． Quanta200扫描电镜观察了其形貌；用Alpha—step 并用SDY-4D四探针仪测量了不同厚度薄膜的方块电阻。 3．实验结果与讨论 3．1纳米Ni—cr合金薄膜厚度与成分分析 图l给出了不同溅射时问制备的纳米Ni—cr合金薄膜厚度、方块电阻同溅射时间的关系，计算出 实验条件下离子束溅射Ni-Cr合金薄膜的平均速率约为6．1nm／min，厚度同溅射时间成线性关系。薄 膜厚度在20—250纳米的范围．厚度片内径向分布均匀，说明用此工艺可以制备出均一的纳米薄膜。 经过拟合后发现，不同厚度的溅射态样品其方块电阻随溅射时间的关系成指数函数变化规律。随 着溅射时间的延长，薄膜厚度增加，方块电阻降低。薄膜在放置一段时问后，其方块电阻会随时间而缓 慢地变化，一般要求经时变化越小越好。膜越薄．经时变化会越大”1。 溅