浅谈半导体导电性.pdfVIP

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2017-07-07 发布于北京
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微电子技术概论西安电子科技大学微电子学院董刚 gdong@mail.xidian.edu.cn 电话第二章集成器件物理基础 2-1 半导体及其能带模型一、半导体及其共价键结构二、半导体的能带模型三、费米分布函数 2-2 半导体的导电性一、本征半导体二、非本征载流子三、半导体中的电流四、半导体基本方程第二章集成器件物理基础 2-1 半导体及其能带模型一、半导体及其共价键结构二、半导体的能带模型三、费米分布函数 2-2 半导体的导电性一、本征半导体二、非本征载流子三、半导体中的电流四、半导体基本方程一、半导体及其共价键结构热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。管、光敏三极管等)。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。一、半导体及其共价键结构 “掺杂”对半导体电导率的影响 Si (原子密度5 ⅹ1022/cm3 电阻率1 Ωcm) 15 3 5 + P (5 ⅹ10 /cm )= 电阻率2.3 ⅹ10 Ωcm 元素半导体：Si Ge 化合物半导体：GaAs InP SiC AlGaN 一、半导体及其共价键结构一、半导体及其共价键结构价电子 Si Si 非晶体单晶多晶 Si Si Si晶体的共价健共价健一、半导体及其共价键结构本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理价电子在获得一定能量（温度升价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的高或受光照）后，即可挣脱原子核的自由电子束缚，成为自由电子（带负电），同束缚，成为自由电子（带负电），同