第十章 半导体技术-薄膜沉积.pdfVIP

半导体技术－薄膜沉积 薄膜沉积 薄膜的沉积，是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面的扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐 形成薄膜并成长的过程。 分类及详述： 化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition ）——CVD 反应气体发生化学反应，并且生成物沉积在晶片表面。 物理气相沉积（Physical Vapor Deposition ）——PVD 蒸 镀（Evaporation ） 利用被蒸镀物在高温（近熔点）时，具备饱和蒸汽压，来沉积薄膜的过程。 溅 镀（Sputtering） 利用离子对溅镀物体电极（Electrode ）的轰击（Bombardment ）使气相中具有被镀物的粒子（如原子）， 沉积薄膜。 化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition ；CVD) 用高温炉管来进行二氧化硅层的成长，至于其它如多晶硅 (poly-silicon) 、氮化硅 (silicon-nitride) 、 钨或铜金属等薄膜材料，要如何成长堆栈至硅晶圆上？ 基本上仍是采用高温炉管，只是因着不同的化学沉积过程，有