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半导体发光材料 目录 半导体发光材料的条件 半导体发光材料 ? GaAs半导体材料 ? Si基发光材料 半导体发光材料器件 半导体发光材料的条件 合适的带隙宽度 电导率高的P型和N型晶体 用以制备优良的PN结 完整性好的优质晶体 制作高效率发光器件的必要条件 发光复合几率大 直接带隙跃迁 间接带隙跃迁 半导体发光材料 发光的主要机制： e-h的复合，释放光子 半导体发光材料 直接带隙跃迁 特点：无声子参与，发光效率高 半导体发光材料 直接跃迁的半导体材料 以III-V族化合物半导体以及由它们组成的三四元固溶体为主 GaAs InP GaN GaAsP InGaAsP ...... GaAs半导体材料 典型的直接跃迁型材料 最为重要且研究最多的III-V族化合物半导体 Eg~1.43eV，λ~900nm 微波器件，半导体激光器，上转换可见光器件的红外激发源，发光耦合器的红外发光源等 许多材料外延生长的衬底 GaAs基本性质 闪锌矿结构 （110）自然解理面 主要缺陷 位错 化学计量比偏离 杂质偏析 显微沉淀 GaAs的发光原理 室温下用电子束激发GaAs发光时的相对效率与杂质浓度 1016 1017 1018 1019 1020 N型 P型 10-4 10-3