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第一章 常用半导体器件工作原理介绍
主要内容:
本征半导体、杂质半导体、PN结结构及原理、半导体二极管特性(稳压管、
发光二极管等)、晶体管结构、原理及其三个工作区、场效应管结构、原理、单
结晶体管、晶闸管
重点:
半导体二极管、晶体管和场效应管的外特性和主要参数(内部结构是为了更
好地理解外特性)
难点:二极管、晶体管、场效应管的工作原理。
1-1 半导体的基础知识
导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。半导体因温度升高导电
能力增强;掺入杂质导电能力增强且可控制,故在实际当中采用半导体材料作电
子器件。半导体有纯净的半导体(本征半导体)和杂质半导体
一、 本征半导体
1.本征半导体的结构—共价键结构—稳定
*共价键:某个原子核外围电子(价电子)既受自身原子核的束
缚,又受相邻原子核的束缚,成为共用电子,这种结构称共价键结
构。
2.本征半导体的载流子—自由电子和空穴
*载流子:运载电流的粒子称为载流子。热激发产生电子和空穴对,形成载
流子。如图1.1.2 自由电子在外电场的作用下定向移动;价电子填补空穴,
相当于空穴定向移动,形成传导电流。
3.本征半导体中载流子的浓度—是温度的函数
*本征激发:热激发产生电子空穴对,这种现象称为本征激发。
*复合:自由电子填补空穴的现象称为复合。
温度升高载流子的浓度升高,温度低,载流子的浓度低,温度一定,载流子
的浓度一定。
二、 杂质半导体
1.N型半导体—多子是自由电子,少子是空穴的杂质半导体。在
半导体硅中掺入5价磷元素,多子自由电子是由掺杂产生的,少子空穴是由热激
发
2.P型半导体—多子是空穴,少子是自由电子的杂质半导体。在
半导体硅中掺入3价硼元素,多子空穴是由掺杂产生的,少子自由电子是由热激
发产生的。
三、 PN结
1.PN结的形成
扩散运动和漂移运动达到动态平衡,在PN交界面形成稳定的空间电荷区(耗
尽层)时,PN结形成。
扩散:多子由浓度高的地方向浓度低的地方运动。
漂移:少子在电场的作用下运动。
2.PN结单向导电性
PN结外加正向电压(正向偏置)——导通。
(1)
(2) PN 结加反向电压——截止
3.PN结电流方程
u
U
T
e
i=IS ( -1)
式中:IS——反向饱和电流。u——外加电压
UT——温度电压当量,常温下
U =26mv(T=300K)
T
4.PN结的伏安特性
u
U
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