第一节 常用半导体器件工作原理介绍.pdfVIP

第一节 常用半导体器件工作原理介绍.pdf

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第一章 常用半导体器件工作原理介绍 主要内容: 本征半导体、杂质半导体、PN结结构及原理、半导体二极管特性(稳压管、 发光二极管等)、晶体管结构、原理及其三个工作区、场效应管结构、原理、单 结晶体管、晶闸管 重点: 半导体二极管、晶体管和场效应管的外特性和主要参数(内部结构是为了更 好地理解外特性) 难点:二极管、晶体管、场效应管的工作原理。 1-1 半导体的基础知识 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。半导体因温度升高导电 能力增强;掺入杂质导电能力增强且可控制,故在实际当中采用半导体材料作电 子器件。半导体有纯净的半导体(本征半导体)和杂质半导体 一、 本征半导体 1.本征半导体的结构—共价键结构—稳定 *共价键:某个原子核外围电子(价电子)既受自身原子核的束 缚,又受相邻原子核的束缚,成为共用电子,这种结构称共价键结 构。 2.本征半导体的载流子—自由电子和空穴 *载流子:运载电流的粒子称为载流子。热激发产生电子和空穴对,形成载 流子。如图1.1.2 自由电子在外电场的作用下定向移动;价电子填补空穴, 相当于空穴定向移动,形成传导电流。 3.本征半导体中载流子的浓度—是温度的函数 *本征激发:热激发产生电子空穴对,这种现象称为本征激发。 *复合:自由电子填补空穴的现象称为复合。 温度升高载流子的浓度升高,温度低,载流子的浓度低,温度一定,载流子 的浓度一定。 二、 杂质半导体 1.N型半导体—多子是自由电子,少子是空穴的杂质半导体。在 半导体硅中掺入5价磷元素,多子自由电子是由掺杂产生的,少子空穴是由热激 发 2.P型半导体—多子是空穴,少子是自由电子的杂质半导体。在 半导体硅中掺入3价硼元素,多子空穴是由掺杂产生的,少子自由电子是由热激 发产生的。 三、 PN结 1.PN结的形成 扩散运动和漂移运动达到动态平衡,在PN交界面形成稳定的空间电荷区(耗 尽层)时,PN结形成。 扩散:多子由浓度高的地方向浓度低的地方运动。 漂移:少子在电场的作用下运动。 2.PN结单向导电性 PN结外加正向电压(正向偏置)——导通。 (1) (2) PN 结加反向电压——截止 3.PN结电流方程 u U T e i=IS ( -1) 式中:IS——反向饱和电流。u——外加电压 UT——温度电压当量,常温下 U =26mv(T=300K) T 4.PN结的伏安特性 u U

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