碳化硅陶瓷的烧结工艺.docVIP

碳化硅陶瓷 碳化硅陶瓷具有机械强度高 、耐高温 、抗氧化性强 、热稳定性能好 、热导率大 、耐磨损性能好 、耐化学腐蚀性能好 、硬度高 、抗热震性能好等优良的特性 。碳化硅是所有非氧化物陶瓷中抗氧化性能最好的一种 。碳化硅陶瓷不仅在高新技术领域发挥着重要的作用 ,而且在冶金 、机械 、能源和建材化工等热门领域也拥有广阔的市场 。随着高新技术的不断发展 ,对碳化硅陶瓷的要求也越来越高 ,需要不同层次和不同性能的各种产品。早在 20 世纪 50 年代 ,Popper[ 1] 首次提出反应烧结制备碳化硅 。其基本原理是 :具有反应活性的液硅或硅合金 ,在毛细管力的作用下渗入含碳的多孔陶瓷素坯 ,并与其中的碳反应生成碳化硅 ,新生成的碳化硅原位结合素坯中原有的碳化硅颗粒 ,浸渗剂填充素坯中的剩余气孔 ,完成致密化的过程 。 1．1 常压烧结 1．1．1 固相烧结 单一陶瓷粉体烧结常常属于典型的固相烧结，即在烧结过程 中没有液相形成。陶瓷坯体的致密化主要是通过蒸发和凝聚、扩散传质等方式来实现的。其烧结过程主要由颗粒重排、气填充和晶粒生长等阶段组成。同时，固相烧结可以通过合适的颗粒级配 、适当的烧结温度和较短的保温时间等工艺参数来实现致密化烧结 。自20世纪 7O年代，Prochazkal6在高纯度的SiC中加人少量的B和C作为烧结助剂 ，在 2050℃成功地固相烧结出致密度高于 98 的SiC陶瓷以来 ，固相烧结就一直很受关注。虽然 SiC-B-C体系固相烧结 SiC需要较高的烧结温度 ，烧结晶粒粗大，均匀性差，而且 SiC陶瓷具有较低的断裂韧性 、较高的裂纹强度敏感性和典型的穿晶断裂模式，但是固相烧结的烧结助剂含量低，杂质少，晶界几乎不残留低熔点物质，烧结后的SiC陶瓷高温稳定性好 、热导能力强l7剖。因此 ，固相烧结在 SiC陶瓷烧结中具有潜在的应用价值 。目前，采用 SiC-B-C烧结体系来进行固相烧结 SiC陶瓷的厂家主要有美国的GE公司。 1．1．2 液相烧结 由于陶瓷粉体中总有少量的杂质 ，大多数材料在烧结过程中都会或多或少地出现液相 。另外，即使在没有杂质的纯固相系统中，高温下还会出现 “接触”熔融现象，因而纯粹的固相烧结实际上不易实现，大多数 的烧结实属液相烧结。液相烧结是以一定数量的多元低共熔点氧化物为烧结助剂，在高温下烧结助剂形成共溶液相的烧结过程 ，烧结 晶粒细小均匀呈等轴晶状。其烧结体系的传质方式为流动传质，可降低致密化所需要的能量 ，容易实现低温下的烧结致密化，缩短烧结时问。同时，低共溶液相的引入和独特的界面结合弱化，使材料的断裂模式为沿晶断裂模式，材料的断裂韧性和强度显著提高。Nakano等利用 BeO 的高热导能力以及SiC与 BeO在烧结过程中形成液相 的特点，最终制备 出热导率高达 270W ／(m ·K)的SiC陶瓷。Takada等在 2200℃烧结平均粉末粒径为0．5Fro的SiC陶瓷的过程中，加入烧结助剂 2 Be、0．2 ～O．4 BC和 0．2 ～O．3 (质量分 数)，无压烧结 0．5h，获得材料的电阻率和热导率分别为 5×l^12Q ·cm和 140w／(m ·K)。在烧结过程中，均匀分布在SiC表面的B原子和 C原子与 Si原子反应 ，生成 GB-C、SiB-C、Si Si和Si—DSi键，促进 Si原子的扩散，提高SiC陶瓷的致密度。 1．2 热压烧结 热压烧结是指在 SiC加热烧结的同时，施加一定的轴向压力而进行的烧结 。热压烧结可增大 SiC粒子间接触面积，降低烧结温度 ，缩短烧结时间，增加烧结体的致密化 ，促进SiC烧结。为了使 SiC粒子更容易烧结，热压烧结通常需要在 SiC粉体中加入B、C、A、4C、YO3、A1O3。等烧结助剂来促进烧结 。B、Al或 BC固溶于 SiC中，降低 SiC的界面能 ，C主要与SiC粒子表面的 SiO。反应形成低温液相，促进B、A1的扩散。Liu等 以YO3和A12O3。为烧结助剂，在 2000℃、30MPa的烧结条件下进行烧结，烧结 出SiC陶瓷的致密程度为 97 ～99．3％，而烧结过程 中YO3和A12O3生成热导率较低 的第二相 YAG，致使室温下的SiC的热导率仅为 92w ／(m ·K)。Zhuo等 在 2000℃、40MPa条件下，以Y 和La03为烧结助剂热压烧结 SiC陶瓷2h，获得热导率为 166W ／(m ·K)的陶瓷基片，一方面，所添加的 YO。具有驱氧能力，从而净化 晶格 ，减少晶格缺陷，增大 晶粒纯度 ，提高热导率；另一方面，以LaO。代替A1O 可以确 保 Y。0。不形成低热导率 的YAG，提高其导热能力。热压烧结能很好地实现陶瓷烧结体 的致密化 ，是制备高性能 SiC陶 瓷材料的有效途径 ，但其工艺生产复