太赫兹器件用碳纳米管阵列阴极的研究.pdfVIP

摘要 摘要 目前基于真空电子学的太赫兹源是产生太赫兹波的最有效方法。在真空太赫 兹器件中阴极起了极其关键的作用，目前热阴极很难适应真空太赫兹器件在结构 方面的要求，特别是µW 到W 级的中小功率真空太赫兹器件，其对体积要求非常 苛刻，热阴极已经无法胜任。场致发射阴极因工作温度低、体积小、启动速度快 等独特优点，使其成为真空太赫兹器件阴极的首选。本文的主要工作是根据太赫 兹器件的要求制备碳纳米管微束阵列，使其能应用于太赫兹器件中。以下为本论 文主要完成的研究内容： (1) 探索碳纳米管阵列的生长工艺。在本论文中，分析了不同生长条件对于碳 纳米管阵列形貌的影响；同时也分析了不同催化剂层结构对碳纳米管阵列形貌的 影响，其中所选用的 Cu/Al/Fe 催化剂结构制备出的碳纳米管阵列形貌最好，与衬 底的粘附性也最好； (2) 碳纳米管阵列后处理工艺改善。在进行碳纳米管场致发射测试之前，将碳 纳米管微束样品进行退火实验，从中得出结论：当温度为790℃时，碳纳米管与衬 底在退伙实验后变得更加紧密，粘附力更强； (3) 碳纳米管阵列栅极结构的设计与制备。本文设计了一种阴极结构，为外栅 极结构阴极，并采用了电磁粒子仿真软件进行建模仿真，并对结果进行了分析和 讨论。目的是将其应用于中低功率的小型太赫兹器件中。 (4) 场致发射测试后得到的结果表明，碳纳米管微束阵列的电流密度为 2 1.9A/cm ，并且拥有60mA 的总发射电流； 关键词：碳纳米管，场发射，微波等离子体化学气相沉积法，太赫兹 I 万方数据 ABSTRACT ABSTRACT THz sourcebased on the vacuum electronics can generate THz wave very effectively. The cathode plays a most important role in the vacuum THz device. At present, the thermal cathode is hard to adapt to the structure requirement of vacuum THz devices, especially the low power THz device with power ofµWto W, the requirements on volume is so strict that thermal cathode can’t meet the requirement. Field emission cathode would be the best choice to be the vacuum THz devices cathode due to its unique advantagessuch aslow temperature, smallvolume and high starting speed and so on. In this paper, the carbon nanotube arrays will be grown according to the requirem