法淀积氟碳掺杂的氧化硅薄膜表征-无机材料学报.PDF

第 卷 第 期 无 机 材 料 学 报 , 年 月 , 一 一 文章编号 一 法淀积氟碳掺杂 的氧化硅薄膜表征 丁 士进 , 张庆全 , 张 卫 , 王 季 陶 复旦 大 学 电子 工 程 系, 上 海 要 以正硅酸 乙 和八 环丁烷 原 , 用 离子 增强 学气 淀 摘 醋 氟 为 料 采 等 体 化 相 积 方法 了 碳 的 硅 样 品 光 子 和 制备 氟 掺杂 氧化 薄膜 的 射线 电 能谱 傅立 叶变换红外光谱 分析表 明薄膜 中含有 一 、 一 、 一 、 一 二 、 等构 型 刚淀积 的薄膜 的折射率约为 对暴露在空气 中以及在不 同温度下退火后薄膜 的折射率 做 了测量 , 并对其变化机理进行 了讨论 , 同时表 明了理想 的淀积温度应是 关 键 词 等离子体增强化学气相淀积 , 氟碳掺杂 的氧化硅薄膜 , 射线光 电子 能谱 傅 立 叶变换红外光谱 , 折射率 中图分类号 文献标识码 引言 随着 超 大规模 集成 电路 的发 展 , 器 件 的特 征尺 寸不 断缩 小 , 互连 电阻 和 电 容 急剧增加 , 从而 限制 了器件性能的提高 为 了降低互连 延迟 , 采用低介 电常数 · 材 料 来做金属 线 间和 层 间介质 以代 替传 统 的 介质 约 为 是 一种有 效 的方法 然 而 ,