硫酸铵浓度的提浓.PDF

Presenter : K.H. Yang Your Logo Here OUTLINE 1. Introduction –高科技廠氨水使用現況 2. Ammonia Remove Analysis –氨氮處理方式比較 3. Ammonia Waste Water Resources Innovation –半導體廠氨氮廢水處理系統建置及最佳化 –半導體廠氨氮廢水副產物資源化 INTRODUCTION INTRODUCTION 1 前言———————————— 氨氮為水環境中重要的監測汙染源之一，亦是導致水體優養化之主要營養鹽，具有強急毒性易造成水 中生物立即性之危害，高濃度之氨氮廢水一但排入河川湖泊，極易導致水質迅速惡化，或微生物及藻 類大量繁殖，消耗水中溶氧使既有生態系統瓦解。 高科技晶圓廠使用之濕式清洗RCA流程包含： 1. Piranha Clean (SPM ；H SO +H O )去除有機汙染物 2 4 2 2 2. Dilute HF Clean (HF/DHF)進行氧化物、二氧化矽及氧化矽蝕刻去除。 3. RCA Standard Clean-1 (SC-1/APM ，NH OH+H O +H O)氧化輕微蝕刻表面微粒子、有機物及金屬汙染物 4 2 2 2 4. RCA Standard Clean-2 (SC-2/HPM ，HCl+H O +H O)氧化並從矽基板移除金屬汙染物 2 2 2 5. UPW化學品清洗後之潤洗劑 其中含氨之化學品主要有: 原液濃度 用量 放流濃度 Chemical 原處理方式 俗名 化學名稱 英文名稱 ppm KL/M ppm Dev-1 (NMD-W)-1 3,662 692.7 17.0 TMAH處理系統 顯影液 氫氧化四甲銨 Tetramethyl Ammoniun hydroxide NH4OH(29%) 116,000 188.6 14.6 CWR處理系統 氨水29% 氫氧化銨 Ammoniun hydroxide ST-250 - 1.5 - 廢液委外 ST-250正光阻去除液 - - NH4F 113,514 47.8 36.0 HF Hydro fluoric acid Ammonium fluoride 處理系統 二氧化矽蝕刻液 氫氟酸；氟化銨 ； CR-168 32,941 1.0 0.2 酸鹼中和 CR-168光阻清潔液 介面活性劑 Surfactant INTRODUCTION 2 各園區管理局氨氮法規管制時程———————————— 高科技 產業之氨氮排放總量約佔全國總量之34% 。光電材料元件與科學工業區下水道進行氨氮濃度分析 ，發 現單一廠排放最高可達數百mg/L ，