模拟电子技术基础第3章场效应管汇编.pptVIP

s d g + _ . . Ugs gmUgs 增强型MOS： gm的计算 * 耗尽型MOS及结型FET * ２．应用微变等效电路分析法分析场效应管放大电路 （１）共源放大电路 1)静态分析： 自给偏置电路 * 微变等效电路 电压增益 2）动态分析： * 输入电阻 输出电阻 * 例3-3　图示电路, 计算Ａｕ、Ｒｉ和ＲＯ，已知 解： 由于gm值已给，因此不需要进行静态分析。 * 动态分析： 1）电压增益 * 共源电路的电压增益比共射电路小，输入电阻大 输入与输出电阻 * （２）共漏放大电路 静态分析 * ( ,源极跟随器) 微变等效电路 ②输入电阻 ①电压增益 动态分析 * ③输出电阻 断开负载，输入信号短路，输出端加电压，得到求输出电阻的电路　 输出电阻较小 （２）共漏放大电路 * 解 (1) 例３-４图示放大电路, UGS(off)=-4V，IDSS=5mA (1)求静态工作点IDQ和UGSQ (2)计算Au、Ri和RO。 * 计算gm 电压增益 * 输入电阻和输出电阻 * 场效应管的三种基本接法： 共源、共漏和共栅分别与双极型晶体管的共射、共集和共基对应，相应的输出量与输入量之间的大小和相位关系一致，可以实现反相电压放大、电压跟随、电流跟随的功能。 * 小结 一、场效应管 1.分类 结型、增强型MOS管、耗尽型MO