金属化和多层互连试卷.pptVIP

金属化与多层互连 金属化及其要求 Al在IC中的应用 Cu及低K介质的应用 多晶硅及金属硅化物 多层布线技术 金属化及其要求 金属化:金属及其他导电材料在IC中的应用。 金属材料的三大应用： （1）栅极材料——作为器件组成部分 （2）接触材料——与半导体材料接触，半 导体与外界的连接桥梁 （3）互连材料——连接各器件，形成电路 金属化对材料的要求 (1)好的界面特性（粘附性、界面态等） (2)热、化学稳定性 (3)电导率高 (4) 抗电迁移性强 (5)接触电阻小 (6) 易加工（沉积、刻蚀、键合） (7) 多层间绝缘性好（扩散阻挡层） 特征电阻 Rc 衡量欧姆接触质量的参数是特征电阻Rc 定义：零偏压下的电流密度对电压偏微商的倒数 形成欧姆接触的方式 低势垒欧姆接触：一般金属和P型半导体 的接触势垒较低 高复合欧姆接触 高掺杂欧姆接触 金属化材料 Al Cu 高熔点金属（W、Mo、Ta、Ti等） 多晶硅 金属硅化物（WSi2、 MoSi2、TiSi2等） 此外，还要考虑介质材料，阻挡层，垫层等。 Al在IC中的应用 Al在IC中的应用 最常用的连线金属 第四佳的导电金属 Ag 1.6 mW?cm Cu 1.7 m