同质结和异质结半导体激光器同质结砷化镓.ppt

五、半导体激光器当前发展趋势 如果组成阵列的元激光器彼此相距较远，则每一个独立的激光模相对于其他激光输出相位上是随机的，因此光束总体相干性较差。而这种器件的优点是具有较好的散热性，所以允许更高的功率输出。 五、半导体激光器当前发展趋势 2.表面发射激光器 在激光增值介质结平面垂直方向上发射的激光器称为表面发射激光器 五、半导体激光器当前发展趋势 表面发射结构便于制成二维阵列，这在以下两方面非常有利 五、半导体激光器当前发展趋势 首先，如果阵列中的每个激光器可单独开关，则相当于很多独立放大器，可被应用于光记忆、光计算及光学数据存储等。 五、半导体激光器当前发展趋势 其次，当阵列中的大量二极管激光器同时发射时，可产生很高的功率输出，非常适合泵浦固体激光器。此外，这种器件还可用宽面发射来进一步提高输出功率。 半导体激光器 三、半导体激光器的工作原理和阈值条件 半导体激光器的基本结构和工作原理 1 图7.3.6示出了GaAs激光器的结构 图7.3.6 GaAs激光器的结构 三、半导体激光器的工作原理和阈值条件 半导体激光器的工作阈值 2 激光器产生激光的前提条件除了粒子数发生反转还需要满足阈值条件 增益系数和粒子数反转的关系也取决于谐振腔内的工作物质 三、半导体激光器的工作原理和阈值条件 半导体激光器的阈值电流 3 在低温下，假设激光器在一定的时间间隔内，注入激光器的电子总数与同样时间内发生的电子与空穴复合数相等而达到平衡 四、同质结和异质结半导体激光器 同质结砷化镓(GaAs)激光器的特性 1 伏安特性：与二极管相同，具有单向导电性，如图 7.3.7 阈值电流密度： 影响阈值的因数很多。 图7.3.7 GaAs激光器的伏安特性 影响阈值电流密度的因数有：（1）晶体的掺杂浓度越大，阈值越小；（2）谐振腔的损耗越小，阈值越小；（3）在一定范围内，腔长越长，阈值越低；（4）温度对阈值电流的影响很大，半导体激光器宜在低温或室温下工作。 同质结半导体激光器的阈值电流密度很高，达3×104—5×104 A/cm2 。这样高的电流密度，将使器件发热。因此，在室温下，同质结半导体激光器只能以低重复率（几千赫兹至几十千赫兹）脉冲工作 。 四、同质结和异质结半导体激光器 同质结砷化镓(GaAs)激光器的特性 1 方向性：图7.3.8给出了半导体激光束的空间分布示意图。 图7.3.8 激光束的空间分布示意图 四、同质结和异质结半导体激光器 同质结砷化镓(GaAs)激光器的特性 1 光谱特性：图7.3.9是GaAs激光器的发射光谱。 图(a)是低于阈值时的荧光光谱，谱宽一般为几百埃 图(b)是注入电流达到或大于阈值时的激光光谱，谱宽达几十埃。 图(a) 低于阈值 图(b) 高于阈值 四、同质结和异质结半导体激光器 同质结砷化镓(GaAs)激光器的特性 1 转换效率 注入式半导体激光器是一种把电功率直接转换为光功率的器件，转换效率极高。转换效率通常用量子效率和功率效率量度。 四、同质结和异质结半导体激光器 同质结砷化镓(GaAs)激光器的特性 1 外微分量子效率 功率效率:功率效率定义为激光器的输出功率与输入电功率之比 四、同质结和异质结半导体激光器 异质结半导体激光器 2 (a) 同质结 （b）单异质结 （c）双异质结 四、同质结和异质结半导体激光器 异质结半导体激光器 2 异质结是由不同材料构成的结，形成结的两种材料沿界面具有相近的结构，以保持晶格的连续性。 四、同质结和异质结半导体激光器 异质结半导体激光器 2 为了克服同质结半导体激光器的缺点，提高功率和效率，降低阈值电流，研制出了异质结半导体激光器。 四、同质结和异质结半导体激光器 通过学习我们知道半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。 同质结激光器和单异质结激光器在室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。 课后查阅学习 1.查阅教材学习异质结半导体激光器的性能。 2. 查阅闫吉祥主编教材《激光原理与技术》，学习了解半导体激光器当前发展趋势?。 ? 五、半导体激光器当前发展趋势 半导体激光器当前发展的两个主要方向是提高器件功率水平和采用 表面发射技术 五、半导体激光器当前发展趋势 1.大功率半导体激光器 大功率半导体激光器分单模工作和多模工作两类。对单模运转，功率超过100mW即算是大功率，而多模工作的器件输出可达千瓦量级，且通常在半导体阵列中实现。 五、半导体激光器当前发展趋势 单模激光器实现高功率运转的主要限制因数有：1.空间烧孔效应引起多模工作；2 .当功率很高时，腔镜反射膜对激光能量的吸收导致膜层的严重损坏；3.激活