第7章 半导体存储器概要1.pptxVIP

1;2;3;按存取功能分;5;6;7;半导体二极管的开关特性;9;二极管或门;11;;A1A0为地址线，W0W1W2W3为字线，D3D2D1D0为位线。;14;15;存储器容量：所存储的二进制数的位数。即字数×（位数/字）。;17;MOS管存储器;;20;21;22;叠栅注入MOS管(SIMOS)结构;24;25;26;在存1的存储单元写1，即向对应存储管浮栅注入电子;28;29;;31;32;33;34;35;36;37;38;39;40;41;42;43;1024×4位 RAM(2114) 结构图 ★;45;二、SRAM的静态存储单元;47;2. CMOS型、双极性静态存储单元;49;50;51;52;53;54;设地址线为n条，数据线为m条，则字数=2n，位数/字=m。;例：将2片2114（1024×4位）扩展成1024×8位的RAM;;7.4.2 字扩展方式（地址扩展）;59;60;61;62;63;64;在存储器中写入适当的数据，可实现一定的组合逻辑关系。;66;67;;69;70;71;72;73;74;75;7.2 存储容量计算