ti 掺杂sno 半导体固溶体的第一性原理研究 - chemical journal of .pdf

Vol.33 高等 学校 化 学 学报 No.5 2012年5月 摇 摇 摇 摇 摇 摇 CHEMICALJOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES摇 摇 摇 摇 摇 摇 1050 ~1056 Ti掺掺杂SnO 半导体固溶体的第一性原理研究 2 1 1 1 1 1 2 贾金乾 ,解学佳 ,梁镇海 ,张小超 ,樊彩梅 ,韩培德 (1. 太原理工大学化学化工学院,2. 材料科学与工程学院,太原030024) 摘要摇 Ti掺杂SnO 固溶体是钛基氧化物耐酸阳极的重要组成部分. 采用基于密度泛函理论的第一性原理对 2 Sn Ti O (x=0,1/ 12,1/ 8,1/ 6,1/ 4,1/ 2,3/ 4,5/ 6)固溶体的电子结构进行计算,分析了能带结构、 电子 1-x x 2 态密度和电荷密度以及晶格参数的变化. 结果表明,Ti掺入SnO 晶格后,其晶格参数随组分增加近似呈直 2 线降低,Ti—O键的共价性强于Sn—O键. 掺杂后带隙仍为直接带隙,且随着掺杂比例的增加,带隙逐渐减 小. 当掺杂比例x=0郾5 时,形成能达到最低值(-6郾11eV),固溶体最稳定. 本文的计算结果为钛基氧化物电 极材料的研究与开发提供了一定的理论依据. 关键词摇 密度泛函理论;Sn Ti O 固溶体;形成能;电子结构 1-x x 2 中图分类号摇 O641摇 摇 摇 摇 文献标识码摇 A摇 摇 摇 摇 DOI:10.3969/ j.issn.0251鄄0790.2012.05.034 尺寸稳定性阳极(Dimensionally stableAnode,DSA)是20世纪氯碱工业的重大发现,随后国内外研 究者将钛基氧化物电极引入酸性溶液中作为耐酸阳极,但迄今耐酸阳极的研究仍处于起步阶段[1~3]. 为了使钛基氧化物电极尽快产业化,钛基体表面二氧化钛与其它氧化物所形成固溶体的稳定性、导电 性是决定该类耐酸阳极性能优劣的关键因素. 然而目前对该类固溶体的形成机理、稳定性及导电性的 [4~6] 理论研究工作较少,而基于密度泛函理论的第一性原理 可以从结构理论上探讨上述问题的本质原 [7] 因. SnO 是一种金红石结构的宽带隙半导体材料,室温下带隙为3郾36 eV,激子束缚能为130 meV ,2 由于SnO 具有优良的电学、光学和压电性质,因此在液晶显示、有机半导体仪器中的有效电极及太阳2 [8,9] [10] 能电池等很多领域中具有广泛应用 . Liu等 利用第一性原理计算了SnO 与SnO的电子结构与光 2 [11] 学性质;Liang等 利用第一性原理计算了Sb掺杂SnO 的电子结构,分析了锑掺杂二氧化锡后的导 2 [12]