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sno2 电子结构及其光学特性的第一性原理计算
第 39 卷 第 1 期 河 南 科 技 学 院 学 报 2011 年 2 月
Vol. 39 No. 1 Journal of Henan Institute of Science and Technology Feb. 2011
doi:10.3969/j.issn.1008-7516.2011.01.018
SnO2 电子结构及其光学特性 的
第一性原理计算
刘亚明,姚树文,刘玉波
(河南科技学院,河南 新乡 453003)
摘要:采用基于密度泛 函理论 的第一性原理计算 了金红石结构 SnO 的电子结构和光学特性.在不同的截断能
2
下优化 SnO 晶胞得 : 取 380 eV 最合适,此 时 = =0.490 0 nm, =0.328 5nm, =1.258 eV.通过分析其复介 电函
2 Ecut a b c Eg
数 、反射谱 、吸收谱 以及损失 函数等谱线 的峰值,可知这些峰值与电子在价带导带 间的跃迁有关.计算 的光学特
性与能带结构态密度吻合很好,为 SnO 在光 电领域的设计与应用提供了理论依据.
2
关键词 :SnO,第一性原理,电子结构,光子特性.
中图分类号 :S562 ;S338 文献标志码 : 文章编号 :1008- 7516(2011)01- 0078- 0
A 5
First-principles study of the electronic and optical
properties of SnO2
Liu Yaming,Yao Shuwen,Liu Yubo
(Henan Institute of Science and Technology,Xinxiang 453003,China)
( )
Abstract:Using first-principles augmented density functional theory DFT ,the electronic and optical properties of
:
rutile SnO2 are calculated. The crystal cell was optimized under the different cut-off energies Ecut =380 eV is the most
suitable a
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